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资料编号:185593
 
资料名称:BUZ40B
 
文件大小: 185.77K
   
说明
 
介绍:
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)
 
 


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5 07/96
半导体 组
buz 40 b
流 电流
I
D
=
ƒ
(
T
C
)
参数:
V
GS
10 v
0 20 40 60 80 100 120 °C 160
T
C
0
1
2
3
4
5
6
7
一个
9
I
D
电源 消耗
P
tot
=
ƒ
(
T
C
)
0 20 40 60 80 100 120 °C 160
T
C
0
20
40
60
80
100
120
W
160
P
tot
safe 运行 范围
I
D
=
ƒ
(
V
DS
)
参数:
D
= 0.01
, t
C
= 25°c
-1
10
0
10
1
10
2
10
一个
I
D
10
0
10
1
10
2
10
3
V
V
DS
R
ds(在)
=
V
DS
/
I
D
直流
10 ms
1 ms
100 µs
10 µs
t
p
= 6.4µs
瞬时 热的 阻抗
Z
th jc
=
ƒ
(
t
p
)
参数:
d = t
p
/
T
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
k/w
Z
thJC
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
s
t
p
单独的 脉冲波
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
d = 0.50
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