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资料编号:185593
 
资料名称:BUZ40B
 
文件大小: 185.77K
   
说明
 
介绍:
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组
6 07/96
buz 40 b
典型值 输出 特性
I
D
=
ƒ(
V
DS
)
参数:
t
p
= 80 µs
0 4 8 12 16 20 24 28 V 34
V
DS
0
2
4
6
8
10
12
14
16
一个
19
I
D
V
GS
[V]
一个
一个 4.0
b
b 4.5
c
c 5.0
d
d 5.5
e
e 6.0
f
f 6.5
g
g 7.0
h
h 7.5
i
i 8.0
j
j 9.0
k
k 10.0
l
P
tot
=150W
l 20.0
典型值 流-源 在-阻抗
R
ds (在)
=
ƒ(
I
D
)
参数:
V
GS
0 2 4 6 8 10 12 14 一个 18
I
D
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.6
R
ds (在)
V
GS
[v] =
一个
4.0
V
GS
[v] =
一个
一个
4.5
b
b
5.0
c
c
5.5
d
d
6.0
e
e
6.5
f
f
7.0
g
g
7.5
h
h
8.0
i
i
9.0
j
j
10.0
k
k
20.0
典型值 转移 特性
I
D
=
f
(
V
GS
)
参数:
t
p
= 80 µs
V
DS
2 x
I
D
x
R
ds(在)最大值
0 1 2 3 4 5 6 7 8 V 10
V
GS
0
1
2
3
4
5
6
7
8
一个
10
I
D
典型值 向前 跨导
g
fs
=
f
(
I
D
)
参数:
t
p
= 80 µs,
V
DS
2 x
I
D
x r
ds(在)最大值
0 1 2 3 4 5 6 7 一个 9
I
D
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
S
12
g
fs
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