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资料编号:185648
资料名称:
BUZ12A
文件大小: 121.75K
说明
:
介绍
:
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)
: 点此下载
1
2
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8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组
2
07/96
buz 12 一个
不 为 新 设计
电的 特性,
在
T
j
= 25°c, 除非 否则 指定
参数
标识
值
单位
最小值
典型值
最大值
静态的 特性
流- 源 损坏 电压
V
GS
= 0 v,
I
D
= 0.25 毫安,
T
j
= 25 °c
V
(br)dss
50
-
-
V
门 门槛 电压
V
GS
=
V
ds,
I
D
= 1 毫安
V
gs(th)
2.1
3
4
零 门 电压 流 电流
V
DS
= 50 v,
V
GS
= 0 v,
T
j
= 25 °c
V
DS
= 50 v,
V
GS
= 0 v,
T
j
= 125 °c
I
DSS
-
-
10
0.1
100
1
µA
门-源 泄漏 电流
V
GS
= 20 v,
V
DS
= 0 v
I
GSS
-
10
100
nA
流-源 在-阻抗
V
GS
= 10 v,
I
D
= 32 一个
R
ds(在)
-
0.03
0.035
Ω
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