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半导体 组
buz 12 一个
不 为 新 设计
流 电流
I
D
=
ƒ
(
T
C
)
参数:
V
GS
≥
10 v
0 20 40 60 80 100 120 °C 160
T
C
0
5
10
15
20
25
30
35
一个
45
I
D
电源 消耗
P
tot
=
ƒ
(
T
C
)
0 20 40 60 80 100 120 °C 160
T
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
W
130
P
tot
safe 运行 范围
I
D
=
ƒ
(
V
DS
)
参数:
D
= 0
, t
C
= 25°c
0
10
1
10
2
10
3
10
一个
I
D
10
0
10
1
10
2
V
V
DS
R
ds(在)
=
V
DS
/
I
D
直流
10 ms
1 ms
100 µs
t
p
= 47.0µs
瞬时 热的 阻抗
Z
th jc
=
ƒ
(
t
p
)
参数:
d = t
p
/
T
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
k/w
Z
thJC
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
s
t
p
单独的 脉冲波
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
d = 0.50