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资料编号:185651
资料名称:
BUZ22
文件大小: 183.77K
说明
:
介绍
:
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)
: 点此下载
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组
6
07/96
buz 22
典型值 输出 特性
I
D
=
ƒ(
V
DS
)
参数:
t
p
= 80 µs
0
1
2
3
4
5
6
7
V
9
V
DS
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
一个
75
I
D
V
GS
[V]
一个
一个
4.0
b
b
4.5
c
c
5.0
d
d
5.5
e
e
6.0
f
f
6.5
g
g
7.0
h
h
7.5
i
i
8.0
j
j
9.0
k
k
10.0
l
P
tot
=
125W
l
20.0
典型值 流-源 在-阻抗
R
ds (在)
=
ƒ(
I
D
)
参数:
V
GS
0
10
20
30
40
50
一个
70
I
D
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0.12
0.14
Ω
0.17
R
ds (在)
V
GS
[v] =
一个
4.0
V
GS
[v] =
一个
一个
4.5
b
b
5.0
c
c
5.5
d
d
6.0
e
e
6.5
f
f
7.0
g
g
7.5
h
h
8.0
i
i
9.0
j
j
10.0
k
k
20.0
典型值 转移 特性
I
D
=
f
(
V
GS
)
参数:
t
p
= 80 µs
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
ds(在)最大值
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
10
V
GS
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
一个
75
I
D
典型值 向前 跨导
g
fs
=
f
(
I
D
)
参数:
t
p
= 80 µs,
V
DS
≥
2 x
I
D
x r
ds(在)最大值
0
10
20
30
40
50
一个
70
I
D
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
S
22
g
fs
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