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资料编号:185675
 
资料名称:BUZ32
 
文件大小: 90.53K
   
说明
 
介绍:
SIPMOS Power Transistor
 
 


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2
绝对 最大 比率
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 specified
BUZ32 单位
流 至 源 损坏 电压 (便条 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .V
DS
200 V
流 至 门 电压 (r
GS
= 20k
Ω)
(便条 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
DGR
200 V
持续的 流 电流, t
C
= 55
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
D
9.5 一个
搏动 流 电流 (便条 3) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
DM
38 一个
门 至 源 电压. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ..v
GS
±
20 V
最大 电源 消耗. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P
D
75 W
单独的 脉冲波 avalanche 活力 比率 (便条 4) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . E
150 mJ
直线的 减额 因素 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.6 w/
o
C
运行 和 存储 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T
J
, t
STG
-55 至 150
o
C
din 湿度 类别 - din 40040 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . E
iec climatic 类别 - din iec 68-1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55/150/56
最大 温度 为 焊接
leads 在 0.063in (1.6mm) 从 情况 为 10s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T
L
包装 身体 为 10s, 看 techbrief 334 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T
pkg
300
260
o
C
o
C
提醒: 压力 在之上 那些 列表 “Absolute 最大 Ratings” 导致 永久的 损坏 设备. 这个 一个 压力 仅有的 比率 operationofthe
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这个 规格 是 不 暗指.
便条:
1. T
J
= 25
o
c 至 125
o
c.
电的 specifications
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 specified
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流 至 源 损坏 电压 BV
DSS
I
D
= 250
µ
一个, v
GS
= 0v 200 - - V
门 至 门槛 电压 V
gs(th)
V
GS
= v
DS
, i
D
= 1ma (图示 9) 2.1 3 4 V
零 门 电压 流 电流 I
DSS
T
J
= 25
o
c, v
DS
= 200v, v
GS
= 0v - 20 250
µ
一个
T
J
= 125
o
c, v
DS
= 200v, v
GS
= 0v - 100 1000
µ
一个
门 至 源 泄漏 电流 I
GSS
V
GS
= 20v, v
DS
= 0v - 10 100 nA
流 至 源 在 阻抗 (便条 2) r
ds(在)
I
D
= 4.5a, v
GS
= 10v (图示 8) - 0.35 0.4
向前 跨导 (便条 2) g
fs
V
DS
= 25v, i
D
= 4.5a (图示 11) 2.2 5.0 - S
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
V
CC
= 30v, i
D
2.9a, v
GS
= 10v, r
GS
= 50
Ω,
R
L
= 10
. (计算数量 16, 17)
-3045 ns
上升 时间 t
r
-4060 ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
- 110 140 ns
下降 时间 t
f
-6080 ns
输入 电容 C
ISS
V
DS
= 25v, v
GS
= 0v, f = 1mhz (图示 10) - 1500 2000 pF
输出 电容 C
OSS
- 250 400 pF
反转 转移 电容 C
RSS
- 70 120 pF
热的 阻抗 接合面 至 情况 R
θ
JC
1.67
o
c/w
热的 阻抗 接合面 至 包围的 R
θ
JA
75
o
c/w
源 至 流 二极管 specifications
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
持续的 源 至 流 电流 I
SD
T
C
= 25
o
C - - 9.5 一个
搏动 源 至 流 电流 I
SDM
T
C
= 25
o
c--38a
源 至 流 二极管 电压 V
SD
T
J
= 25
o
c, i
SD
= 19a, v
GS
= 0v - 1.3 1.7 V
反转 恢复 时间 t
rr
T
J
= 25
o
c, i
SD
= 9.5a, di
SD
/dt = 100a/
µ
s,
V
R
= 100v
- 400 - ns
反转 恢复 承担 Q
RR
- 6.0 -
µ
C
注释:
2. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
300
µ
s, 职责 循环
2%.
3. repetitive 比率: 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度. 看 瞬时 热的 阻抗 曲线 (图示 3).
4. V
DD
= 20v, 开始 t
J
= 25
o
c, l = 3.3
µ
h, r
G
= 50
, i
顶峰
= 9a. (看 计算数量 14 和 15).
BUZ32
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