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资料编号:185675
 
资料名称:BUZ32
 
文件大小: 90.53K
   
说明
 
介绍:
SIPMOS Power Transistor
 
 


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4
图示 6. 转移 特性 图示 7. 阻抗 vs
电压 和 流 电流
图示 8. 阻抗 vs
接合面 温度
图示 9. 门槛 电压 vs 接合面
温度
图示 10. 电容 vs 流 至 源 电压 图示 11. 跨导 vs 流 电流
典型 效能 曲线
除非 否则 specified
(持续)
0510
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
20
10
0
I
ds(在)
, 流 至 源 电流 (一个)
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
V
DS
= 25v
T
J
= 25
o
C
1.5
1.0
0.5
0
01020
I
D
, 流 电流 (一个)
r
ds(在)
, 流 至 源
7.5v
7V
10V
20V
8V
9V
V
GS
= 5v 5.5v 6V 6.5v
在 阻抗 (
)
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
r
ds(在)
, 流 至 源
0.6
0.3
0
-40 0 40
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
120
0.9
80
V
GS
= 10v, i
D
= 4.5a
160
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
在 阻抗 (
)
-50 0 50 100 150
V
gs(th)
, 门 门槛 电压 (v)
4
3
2
1
0
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
I
D
= 1ma
V
DS
= v
GS
0 10203040
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
10
1
10
0
10
-1
10
-2
c, 电容 (nf)
V
GS
= 0, f = 1mhz
C
ISS
C
OSS
C
RSS
V
GS
= 0v, f = 1mhz
C
ISS
= c
GS
+ c
GD
C
RSS
= c
GD
C
OSS
C
DS
+ c
GD
8
6
4
2
0
01020
I
D
, 流 电流 (一个)
g
fs
, 跨导 (s)
V
DS
=
25V
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
T
J
= 25
o
C
BUZ32
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