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资料编号:185696
 
资料名称:BUZ345
 
文件大小: 93.95K
   
说明
 
介绍:
SIPMOS Power Transistor
 
 


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数据 薄板 2 05.99
电的 特性,
T
j
= 25˚c,除非 否则 指定
参数 标识 单位
最小值 典型值 最大值
静态的 特性
流- 源 损坏 电压
V
GS
= 0 v,
I
D
= 0.25 毫安,
T
j
= 25 ˚c
V
(br)dss
100 - -
V
门 门槛 电压
V
GS
=
V
ds,
I
D
= 1 毫安
V
gs(th)
2.1 3 4
零 门 电压 流 电流
V
DS
= 100 v,
V
GS
= 0 v,
T
j
= 25 ˚c
V
DS
= 100 v,
V
GS
= 0 v,
T
j
= 125 ˚c
I
DSS
-
-
10
0.1
100
1
µA
门-源 泄漏 电流
V
GS
= 20 v,
V
DS
= 0 v
I
GSS
- 10 100
nA
流-源 在-阻抗
V
GS
= 10 v,
I
D
= 26 一个
R
ds(在)
- 0.04 0.045
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