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资料编号:185696
 
资料名称:BUZ345
 
文件大小: 93.95K
   
说明
 
介绍:
SIPMOS Power Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
数据 薄板 8 05.99
avalanche 活力
E
=
ƒ
(
T
j
)
参数:
I
D
= 41 一个,
V
DD
= 25 v
R
GS
= 25
,
L
= 249.9 µh
20 40 60 80 100 120 ˚C 160
T
j
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
260
mJ
300
E
典型值 门 承担
V
GS
=
ƒ
(
Q
)
参数:
I
d puls
= 62 一个
0 20 40 60 80 100 nC 130
Q
0
2
4
6
8
10
12
V
16
V
GS
ds 最大值
V
0,8
ds 最大值
V
0,2
流-源 损坏 电压
V
(br)dss
=
ƒ
(
T
j
)
-60 -20 20 60 100 ˚C 160
T
j
90
92
94
96
98
100
102
104
106
108
110
112
114
116
V
120
V
(br)dss
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