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资料编号:185716
资料名称:
BUZ21
文件大小: 90.36K
说明
:
介绍
:
SIPMOS Power Transistor
: 点此下载
4
5
6
7
8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
buz 21
数据 薄板
8
05.99
avalanche 活力
E
作
=
ƒ
(
T
j
)
参数:
I
D
= 21 一个,
V
DD
= 25 v
R
GS
= 25
Ω
,
L
= 340 µh
20
40
60
80
100
120
˚C
160
T
j
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
mJ
110
E
作
典型值 门 承担
V
GS
=
ƒ
(
Q
门
)
参数:
I
d puls
= 36 一个
0
10
20
30
40
50
nC
70
Q
门
0
2
4
6
8
10
12
V
16
V
GS
ds 最大值
V
0,8
ds 最大值
V
0,2
流-源 损坏 电压
V
(br)dss
=
ƒ
(
T
j
)
-60
-20
20
60
100
˚C
160
T
j
90
92
94
96
98
100
102
104
106
108
110
112
114
116
V
120
V
(br)dss
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