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资料编号:185717
 
资料名称:BUZ21L
 
文件大小: 90.14K
   
说明
 
介绍:
SIPMOS Power Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
数据 薄板 6 05.99
典型值 输出 特性
I
D
=
ƒ(
V
DS
)
参数:
t
p
= 80 µs ,
T
j
= 25 ˚c
0.0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 V 7.0
V
DS
0
5
10
15
20
25
30
35
40
一个
50
I
D
V
GS
[V]
一个
一个 3.0
b
b 3.5
c
c 4.0
d
d 4.5
e
e 5.0
f
f 5.5
g
g 6.0
h
h 6.5
i
i 7.0
j
j 8.0
k
k 9.0
l
P
tot
= 75w
l 10.0
典型值 流-源 在-阻抗
R
ds (在)
=
ƒ(
I
D
)
参数:
t
p
= 80 µs,
T
j
= 25 ˚c
0 4 8 12 16 20 24 28 32 一个 40
I
D
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0.12
0.14
0.16
0.18
0.20
0.22
0.26
R
ds (在)
V
GS
[v] =
一个
3.0
V
GS
[v] =
一个
一个
3.5
b
b
4.0
c
c
4.5
d
d
5.0
e
e
5.5
f
f
6.0
g
g
6.5
h
h
7.0
i
i
8.0
j
j
9.0
k
k
10.0
典型值 转移 特性
I
D
=
f
(
V
GS
)
参数:
t
p
= 80 µs
V
DS
2 x
I
D
x
R
ds(在)最大值
0 1 2 3 4 5 6 7 8 V 10
V
GS
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
一个
60
I
D
典型值 向前 跨导
g
fs
=
f
(
I
D
)
参数:
t
p
= 80 µs,
V
DS
2 x
I
D
x r
ds(在)最大值
0 10 20 30 40 一个 60
I
D
0
2
4
6
8
10
12
14
16
S
20
g
fs
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