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资料编号:185722
资料名称:
BUZ31
文件大小: 88.67K
说明
:
介绍
:
SIPMOS Power Transistor
: 点此下载
4
5
6
7
8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
buz 31
数据 薄板
8
05.99
avalanche 活力
E
作
=
ƒ
(
T
j
)
参数:
I
D
= 14.5 一个,
V
DD
= 50 v
R
GS
= 25
Ω
,
L
= 1.42 mh
20
40
60
80
100
120
˚C
160
T
j
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
mJ
220
E
作
典型值 门 承担
V
GS
=
ƒ
(
Q
门
)
参数:
I
d puls
= 20 一个
0
10
20
30
40
50
60
70
90
Q
门
0
2
4
6
8
10
12
V
16
V
GS
ds 最大值
V
0,8
ds 最大值
V
0,2
流-源 损坏 电压
V
(br)dss
=
ƒ
(
T
j
)
-60
-20
20
60
100
˚C
160
T
j
180
185
190
195
200
205
210
215
220
225
230
V
240
V
(br)dss
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