1996 将 24 3
飞利浦 半导体 初步的 规格
控制 avalanche rectifiers byg50 序列
电的 特性
T
j
=25
°
c; 除非 否则 specified.
热的 特性
注释
1. 设备 挂载 在 al
2
O
3
打印-电路 板, 0.7 mm 厚; 厚度 的 铜
≥
35
µ
m, 看 图.7.
2. 设备 挂载 在 环氧的-glass 打印-电路 板, 1.5 mm 厚; 厚度 的 铜
≥
40
µ
m, 看 图.7.
为 更多 信息 请 谈及 至 这
“general 部分 的 有关联的 handbook”
.
E
RSM
非-repetitive 顶峰 反转 avalanche
活力
L = 120 mh; t
j
=T
j 最大值
较早的 至
surge; inductive 加载 切换 止
BYG50D 至 J
−
10
mJ
BYG50K 和 M
−
7
mJ
T
stg
存储 温度
−
65 +175
°
C
T
j
接合面 温度
看 图.4
−
65 +175
°
C
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
F
向前 电压 I
F
=1a; t
j
=T
j 最大值;
看 图.5
−−
0.85 V
I
F
= 1 一个; 看 图.5
−−
1.00 V
V
(br)r
反转 avalanche
损坏 电压
I
R
= 0.1 毫安
BYG50D 300
−−
V
BYG50G 500
−−
V
BYG50J 700
−−
V
BYG50K 900
−−
V
BYG50M 1100
−−
V
I
R
反转 电流 V
R
=V
RRMmax
; 看 图.6
−−
1
µ
一个
V
R
=V
RRMmax
; t
j
= 165
°
c; 看 图.6
−−
100
µ
一个
t
rr
反转 恢复 时间 当 切换 从 i
F
= 0.5 一个 至
I
R
= 1 一个; 量过的 在 i
R
= 0.25 一个;
看 图.8
−
2
−
µ
s
标识 参数 情况 值 单位
R
th j-tp
热的 阻抗 从 接合面 至 系-要点 25 k/w
R
th j-一个
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 便条 1 100 k/w
便条 2 150 k/w
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
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