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文档 号码 86067
rev. 1.2, 19-oct-04
BYG24
vishay 半导体
电的 特性
T
amb
= 25 °c, 除非 否则 指定
典型 characteristics (tamb = 25
°
c 除非 否则 指定)
参数 测试 情况 Part 标识 最小值 Typ. 最大值 单位
向前 电压 I
F
= 1 一个 V
F
1.15 V
I
F
= 1.5 一个 V
F
1.25 V
反转 电流 V
R
= v
RRM
I
R
1
µ
一个
V
R
= v
RRM
, t
j
= 100 °C I
R
10
µ
一个
损坏 电压 I
R
= 100
µ
一个 byg 24 d V
(br)r
200 V
byg 24 g V
(br)r
400 V
byg 24 j V
(br)r
600 V
反转 恢复 时间 I
F
= 0.5 一个; i
R
= 1 一个; i
R
= 0.25 一个 t
rr
140 ns
图示 1. 最大值 反转 电源 消耗 vs. 接合面
温度
图示 2. 反转 电流 vs. 接合面 温度
0
10
20
30
40
50
60
25 50 75 100 125 150
T
j
– 接合面 温度 (
°
c )
16
V
R
= v
RRM
p – 反转 电源 消耗 ( mw )
R
175k/w
155k/w
125k/w
P
R
–Limit
@100%V
R
P
R
–Limit
@80%V
R
R
thJA
=
1
10
100
25 50 75 100 125 150
1
10
100
25 50 75 100 125 150
T
j
– 接合面 温度 (
°
c )
16825
V
R
= v
RRM
i – 反转 电流 ( 毫安 )
R
图示 3. 向前 电流 vs. 向前 电压
图示 4. 平均 向前 电流 vs. 包围的 温度
0.01
0.10
1.00
10.00
100.00
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
i – 向前 电流 ( 一个 )
V
F
– 向前 电压 ( v )
16826
F
T
j
=25
°
C
T
j
=150
°
C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0 20 40 60 80 100 120 140 160
T
amb
– 包围的 温度 (
°
c )
16827
i – 平均 向前 电流 ( 一个 )
FAV
V
R
=V
RRM
half sinewave
R
thJA=
150k/w
R
thJA
v25k/wr
thJA=
25k/w
R
thJA=
125k/w
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