byt28, byt28f, byt28b, ug10gct, ugf10gct, UGB10GCTSeries
vishay 半导体
formerly 一般 半导体
www.vishay.com 文档 号码 88552
2 15-apr-02
最大 比率
(t
C
= 25°c 除非 否则 指出)
UG10FCT UG10GCT
参数 标识
byt28-300 byt28-400
单位
最大 repetitive 顶峰 反转 电压 V
RRM
300 400 V
最大 working 反转 电压 V
RWM
300 400 V
最大 rms 电压 V
RMS
210 280
最大 直流 blocking 电压 V
直流
300 400 V
最大 平均 向前 调整的 总的 设备
I
f(av)
10
一个
电流 在 t
C
= 100°c 每 leg 5
顶峰 向前 surge 电流
8.3ms 单独的 half sine-波 superimposed I
FSM
60 一个
在 评估 加载 (电子元件工业联合会 方法) 每 leg
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
STG
–40 至 +150 °C
rms 分开 电压 (byt28f, ugf 类型)
4500
(1)
从 terminals 至 散热器 和 t = 1 第二, rh
≤
30%
V
ISOL
3500
(2)
V
1500
(3)
电的 特性
(t
C
= 25°c 除非 否则 指出)
参数 标识
值
单位
最大 instantaneous 向前 电压 每 leg
(4)
在 i
F
= 5a, t
J
= 25°c
V
F
1.30
V
在 i
F
= 10a, t
J
= 25°c 1.40
在 i
F
= 5a, t
J
= 150°c 1.05
最大 反转 电流 每 leg T
J
= 25°c 10
在 v
RRM
T
J
= 100°c
I
R
200
µ
一个
最大 反转 恢复 时间 每 leg 在
I
F
= 0.5a, i
R
= 1.0a, i
rr
= 0.25a
t
rr
35 ns
最大 反转 恢复 时间 每 leg 在
I
F
= 1.0a, di/dt = 100a/
µ
s, v
R
= 30v, i
rr
= 0.1I
RM
t
rr
50 ns
最大 反转 恢复 电流 每 leg 在
I
RM
3.0 一个
I
F
= 5a, di/dt = 50a/
µ
s, v
R
= 30v, t
C
= 100°c
最大 贮存 承担 每 leg
I
F
= 2a, di/dt = 20a/
µ
s, v
R
= 30v, i
rr
= 0.1I
RM
Q
rr
50 nC
热的 特性
(t
C
= 25°c 除非 否则 指出)
UG10 UGF10 UGB10
参数 标识 BYT28 BYT28F BYT28B 单位
典型 热的 阻抗 接合面 至 情况 R
Θ
JC
4.5 6.7 4.5 °c/w
注释:
(1) clip 挂载 (在 情况), 在哪里 含铅的 做 不 overlap 散热器 和 0.110” 补偿
(2) clip 挂载 (在 情况), 在哪里 leads 做 overlap 散热器
(3) screw 挂载 和 4-40 screw, 在哪里 washer 直径 是
≤
4.9 mm (0.19”)
(4) 脉冲波 测试: 300
µ
s 脉冲波 宽度, 1% 职责 循环
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