0 20 40 60 80 100 120 140 160
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
T
=tp/t
tp
=0.5
f(一个v)(一个)
I
o
tamb( c)
rth(j-一个)=15 c/w
o
rth(j-一个)=rth(j-c)
图.7 :
平均 电流 相比 包围的
温度.
(
δ
= 0.5) (sot93, to247)
0 20 40 60 80 100 120 140 160
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
T
=tp/t
tp
=0.5
f(一个v)(一个)
I
o
tamb( c)
rth(j-一个)=15 c/w
o
rth(j-一个)=rth(j-c)
图.8 :
平均 电流 相比 包围的
温度.
(
δ
= 0.5) (top3i)
1 10 100
100
110
120
130
140
150
160
170
180
190
200
200
vr(v)
F=1Mhz Tj=25 C
o
c(pf)
图.9 :
接合面 电容 相比 反转
电压 应用 (典型 值).
1 10 100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
qrr(nc)
90%CONFIDENCE
如果=如果(av)
Tj=100 C
O
Tj=25 C
O
dif/dt(一个/美国)
图.10 :
恢复 charges 相比 dI
F
/dt.
tj( c)
QRR;IRM[Tj]/qrr;IRM[Tj=125 C]
0 255075100125150
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
IRM
QRR
o
o
图.12 :
动态 参数 相比 接合面
温度.
1 10 100
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
20
irm(一个)
dif/dt(一个/美国)
90%CONFIDENCE
Tj=100 C
O
Tj=25 C
O
如果=如果(av)
图.11 :
顶峰 反转 电流 相比 dif/dt.
byw99p/pi/w
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