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资料编号:189052
 
资料名称:BYW51-200
 
文件大小: 25.2K
   
说明
 
介绍:
8A, 100V - 200V Ultrafast Dual Diodes
 
 


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3
所有 intersil 半导体 产品 是 制造的, 聚集 和 测试 下面
ISO9000
质量 系统 certification.
Intersil 半导体 产品 出售 描述 仅有的. Intersil 公司 reserves 正确的 制造 改变 电路 设计 和/或者 规格 任何 时间 和-
输出 注意. accordingly, reader cautioned 核实 数据 薄板 电流 在之前 放置 顺序. 信息 陈设 Intersil 相信 精确
可依靠的. 不管怎样, 责任 assumed Intersil 或者 它的 附属机构 它的 使用; 也不 任何 infringements 专利权 或者 其它 权利 第三 这个 结果
从 它的 使用. 非 执照 是 准予 用 牵涉 或者 否则 下面 任何 专利权 或者 专利权 权利 的 intersil 或者 它的 附属机构.
信息 关于 Intersil 公司 它的 产品, 站点
www.intersil.com
销售 office 总部
北 america
intersil 公司
p. o. 盒 883, 邮递 停止 53-204
melbourne, fl 32902
电话: (321) 724-7000
传真: (321) 724-7240
欧洲
intersil sa
mercure 中心
100, rue de la fusee
1130 brussels, belgium
电话: (32) 2.724.2111
传真: (32) 2.724.22.05
ASIA
intersil (台湾) 有限公司.
7f-6, 非. 101 fu hsing 北 road
taipei, 台湾
republic 的 中国
电话: (886) 2 2716 9310
传真: (886) 2 2715 3029
典型 效能 曲线
图示 1. 顶峰 surge 向前 电流 vs surge
持续时间
图示 2. 热的 阻抗 vs 脉冲波 宽度
(每 接合面)
图示 3. 典型 向前 电流 vs 向前
电压 漏出
图示 4. 典型 反转 电流 vs 电压
T
J
= 100
o
C
reapplied v
R
(pk) = v
RM
0
I
FSM
, 顶峰 surge (非-repetitive)
向前 电流 (一个)
1 10 100
N, 号码 的 half-循环 在 surge 持续时间 在 50hz
160
120
80
40
20
140
100
60
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
1 10 1000
t
P
, 脉冲波 宽度 (ms)
100
R
θ
JC
, 热的 阻抗 (
o
c/w)
100
10
1
0.1
0.01
I
F
, 向前 电流 (一个)
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6
V
F
, 向前 电压 漏出 (v)
T
J
= +25
o
C
T
J
= +125
o
C
T
J
= +150
o
C
T
J
= +100
o
C
T
J
= -55
o
C
10,000
1000
100
10
1
0.1
0.01
0.01 0.1 1 10 1000100
V
RM
, 电压 在 % 评估 v
RRM
(v)
I
R
, 反转 电流 (
µ
一个)
T
J
= +25
o
C
T
J
= +125
o
C
T
J
= +100
o
C
T
J
= +150
o
C
byw51-100, byw51-150, byw51-200
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