最大 比率
(t
C
= 25°c 除非 否则 指出)
参数 标识
MBR20H200CT MBRF20H200CT
mbrb20h200ct-1
单位
最大 repetitive 顶峰 反转 电压 V
RRM
200 V
working 顶峰 反转 电压 V
RWM
200 V
最大 直流 blocking 电压 V
直流
200 V
最大 平均 向前 调整的 电流
总的 设备
20
(图. 1)
每 leg
I
f(av)
10
一个
顶峰 向前 surge 电流
8.3ms 单独的 half sine-波 superimposed I
FSM
290 一个
在 评估 加载 (电子元件工业联合会 方法) 每 leg
顶峰 repetitive 反转 电流 每 leg 在 t
p
= 2
µ
s, 1kh
Z
I
RRM
1.0 一个
顶峰 非-repetitive 反转 surge 活力
E
RSM
20 mJ
(8/20
µ
s 波形)
非-repetitive avalanche 活力 每 leg
在 25
°
c, e
作
= 2.0a, l=10mh
E
作
20 mJ
静电的 释放 电容 电压
人 身体 模型: c = 100pf, r = 1.5k
V
C
25 KV
电压 比率 的 改变 (评估 v
R
) dv/dt 10,000 v/
µ
s
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
STG
–65 至 +175 °C
rms 分开 电压 (mbrf 类型 仅有的) 从 terminals
4500
(1)
至 散热器 和 t = 1 第二, rh 30%
V
ISOL
3500
(2)
V
1500
(3)
电的 特性
(t
C
= 25°c 除非 否则 指出)
参数 标识
典型 最大
单位
最大 instantaneous I
F
= 10a, T
j
= 25°c 0.81 0.88
向前 电压 每 leg 在: I
F
= 10a, T
j
= 125°c 0.65 0.75
I
F
= 20a, T
j
= 25°c
V
F
0.87 0.97
V
I
F
= 20a, T
j
= 125°c 0.74 0.85
最大 反转 电流 每 leg T
J
= 25°c 5.0
µ
一个
在 working 顶峰 反转 电压
(4)
T
J
= 125°c
I
R
1.0 毫安
典型 接合面 电容 在 4.0v, 1mhz CJ 250 pF
热的 特性
(t
C
= 25°c 除非 否则 指出)
参数 标识 MBR MBRF MBRB 单位
典型 热的 阻抗 每 leg R
JC
2.0 4.0 2.0 °c/w
注释:
(1) clip 挂载 (在 情况), 在哪里 含铅的 做 不 overlap 散热器 和 0.110” 补偿
(2) clip 挂载 (在 情况), 在哪里 leads 做 overlap 散热器
(3) screw 挂载 和 4-40 screw, 在哪里 washer 直径 是
4.9 mm (0.97”)
(4) 脉冲波 测试: 300
µ
s 脉冲波 宽度, 1% 职责 循环
订货 信息
产品 情况 包装 代号 包装 选项
MBR20H200CT 至-220ab 45 反对-静态的 tube, 50/tube, 1k/carton
MBRF20H200CT 至-200ab 45 反对-静态的 tube, 50/tube, 1k/carton
mbrb20h200ct-1 至-262aa 45 反对-静态的 tube, 50/tube, 1k/carton
mbr20h200ct, mbrf20h200ct &放大; mbrb20h200ct-1 序列
vishay 半导体
formerly 一般 半导体
www.vishay.com 文档 号码 88786
2 02-六月-04
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