2003 三月 03 2
飞利浦 半导体 产品 规格
双 缓存区/线条 驱动器; 3-状态 74hc2g126; 74hct2g126
特性
•
宽 运行 电压 从 2.0 至 6.0 V
•
对称的 输出 阻抗
•
高 噪音 免除
•
低 电源 消耗
•
保持平衡 传播 延迟
•
非常 小 8 管脚 包装
•
输出 能力: 总线 驱动器
•
静电释放 保护:
– HBM eia/jesd22-a114-一个 超过 2000 V
– MM eia/jesd22-a115-一个 超过 200 V
•
指定 从
−
40 至 +85
°
c 和
−
40 至 +125
°
c.
描述
这 74hc2g/hct2g126 是 一个 高-速 si-门 cmos
设备.
这 74hc2g/hct2g126 提供 一个 非-反相的
缓存区/线条 驱动器 和 3-状态 输出. 这 3-状态 输出 是
控制 用 这 输出 使能 输入 管脚 (oe). 一个 低 在
管脚 oe 导致 这 输出 作 假设 一个 高-阻抗
止-状态.
这 总线 驱动器 输出 电流 是 equal 对照的 至 这
74hc/hct126.
快 涉及 数据
地 = 0 v; t
amb
=25
°
c; t
r
=r
f
≤
6.0 ns.
注释
1. C
PD
是 使用 至 决定 这 动态 电源 消耗 (p
D
在
µ
w).
P
D
=C
PD
×
V
CC
2
×
f
i
×
N+
Σ
(c
L
×
V
CC
2
×
f
o
) 在哪里:
f
i
= 输入 频率 在 mhz;
f
o
= 输出 频率 在 mhz;
C
L
= 输出 加载 电容 在 pf;
V
CC
= 供应 电压 在 伏特;
N = 总的 切换 输出;
Σ
(c
L
×
V
CC
2
×
f
o
) = 总 的 这 输出.
2. 为 这 74hc2g126 这 情况 是 v
I
= 地 至 V
CC
.
为 这 74hct2g126 这 情况 是 v
I
= 地 至 V
CC
−
1.5 v.
标识 参数 情况
典型
单位
HC2G HCT2G
t
PHL
/t
PLH
传播 延迟 nA 至 nY C
L
= 15 pf; v
CC
=5V 1012ns
C
I
输入 电容 1 1 pF
C
O
输出 电容 1.5 1.5 pF
C
PD
电源 消耗 电容
每 缓存区
输出 使能; 注释 1 和 2 11 11 pF
输出 无能; 注释 1 和 2 1 1 pF
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