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资料编号:200544
 
资料名称:C30807
 
文件大小: 140.55K
   
说明
 
介绍:
N-Type Silicon PIN Photodetectors
 
 


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规格 (在 v
R
= 45 伏特 (典型), 22°c)
2
类型 c30810 类型 c30822 类型 c30831 单位
最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值
BR
100 - - 100 - - 100 - - V
responsivity:
在 900 nm 0.5 0.6 - 0.5 0.6 - 0.5 0.6 - 一个/w
在 1060 nm 0.1 0.15 - 0.1 0.15 - 0.1 0.15 - 一个/w
quantum 效率:
在 900 nm 70 83 - - 83 - - 83 - %
在 1060 nm 12 17 - - 17 - - 17 - %
d
:
看 图示 2
在 v
R
= 10v
- 8x10
-8
4x10
-7
- 1x10
-8
5x10
-8
- 1x10
-9
5x10
-9
一个
在 v
R
= 45v
- 3x10
-7
1.5x10
-6
- 5x10
-8
2.5x10
-7
- 1x10
-8
5x10
-8
一个
噪音 电流, i
n
:
看 图示 3
f = 1000 hz,
f = 1.0 hz -
3x10
-13
2.1x10
-12
- 1.3x10
-13
9x10
-13
- 6x10
-14
4.2x10
-13
一个/hz
1/2
噪音 相等的 电源 (nep):
f = 1000 hz,
f = 1.0 hz
在 900 nm - 4.5x10
-13
3.6x10
-12
- 2x10
-13
1.5x10
-12
- 1x10
-13
8x10
-13
w/hz
1/2
在 1060 nm - 2x10
-12
1.6x10
-11
- 8x10
-13
7x10
-12
1 4x10
-13
3.2x10
-12
w/hz
1/2
电容, c
d
:
看 图示 4
- 70 90 - 17 20 - 2 2.5 pF
上升 时间, t
r
:
RL = 50
Ω, λ
= 900 nm,
10% 至 90% 点 - 12 17 - 7 12 - 3 5 ns
下降 时间:
RL = 50
Ω, λ
= 900 nm,
10% 至 90% 点 - 20 30 - 10 15 - 6 10 ns
便条 2. 这 推荐 范围 的 反转 运行 电压 v
R
在 t
一个
= 22°c 是 0 至 50 伏特. 不管怎样, 当 这 设备 是 运作 在 这 photovoltaic 模式, i.e., 在 v
R
= 0
伏特, 一些 的 这 电的 特性 将 differ 从 那些 显示.
图示 2. 典型 dark 电流 vs. 包围的 温度
图示 1. 典型 谱的 responsivity 典型的
c30807, c30808, c30809, c30810, c30822, c30831
电的 特性 在 t
一个
= 22°c 在 一个 直流 反转 运行 电压 (v
R
) = 45 伏特
2
,
除非 否则 指定
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