2003 十一月 04 2
飞利浦 半导体 产品 规格
反相的 施密特-triggers 74hc3g14; 74hct3g14
特性
•
宽 供应 电压 范围 从 2.0 至 6.0 V
•
高 噪音 免除
•
低 电源 消耗
•
保持平衡 传播 延迟
•
unlimited 输入 上升 和 下降 时间
•
非常 小 8 管脚 包装
•
静电释放 保护:
hbm eia/jesd22-a114-一个 超过 2000 V
mm eia/jesd22-a115-一个 超过 200 v.
•
指定 从
−
40 至 +85
°
c 和
−
40 至 +125
°
c.
产品
•
波 和 脉冲波 shapers 为 高级地 嘈杂的 环境
•
非稳定式的 multivibrators
•
monostable multivibrators
•
输出 能力: 标准.
描述
这 74hc3g/hct3g14 是 一个 高-速 si-门 cmos
设备.
这 74hc3g/hct3g14 提供 三 反相的 缓存区
和 施密特-触发 action. 这个 设备 是 有能力 的
transforming 慢速地 changing 输入 信号 在 sharply
定义, jitter-自由 输出 信号.
快 涉及 数据
地 = 0 v; t
amb
=25
°
c; t
r
=t
f
≤
6.0 ns.
注释
1. C
PD
是 使用 至 决定 这 动态 电源 消耗 (p
D
在
µ
w).
P
D
=C
PD
×
V
CC
2
×
f
i
×
N+
Σ
(c
L
×
V
CC
2
×
f
o
) 在哪里:
f
i
= 输入 频率 在 mhz;
f
o
= 输出 频率 在 mhz;
C
L
= 输出 加载 电容 在 pf;
V
CC
= 供应 电压 在 伏特;
N = 总的 切换 输出;
Σ
(c
L
×
V
CC
2
×
f
o
) = 总 的 这 输出.
2. 为 hc3g14 这 情况 是 v
I
= 地 至 V
CC
.
为 hct3g14 这 情况 是 v
I
= 地 至 V
CC
−
1.5 v.
标识 参数 情况
典型
单位
HC3G14 HCT3G14
t
PHL
/t
PLH
传播 延迟 na 至 nY C
L
= 50 pf; v
CC
=4.5v1621ns
C
I
输入 电容 2 2 pF
C
PD
电源 消耗 电容 每 缓存区 注释 1 和 2 10 10 pF
: 点此下载
