TMS28F512A
65536 用 8-位
flash 记忆
smjs514c – 二月 1994 – 修订 8月 1997
1
邮递 办公室 盒 1443
•
houston, 德州 77251–1443
D
organization . . . 65536 用 8 位
D
所有 输入/输出 ttl-兼容
D
V
CC
容忍
±
10%
D
最大 进入 / 最小 循环 时间
’28f512a-10 100 ns
’28f512a-12 120 ns
’28f512a-15 150 ns
’28f512a-17 170 ns
D
工业-标准 程序编制 algorithm
D
10000 和 1000 程序/擦掉 循环
D
latchup 免除 的 250 毫安 在 所有 输入
和 输出 线条
D
低 电源 消耗 (V
CC
= 5.5 v)
– 起作用的 写 . . . 55 mw
– 起作用的 read...165 mw
– 电的 erase...82.5 mw
– standby...0.55 mw
(cmos-输入 水平)
D
automotive 温度 范围
– 40
°
c 至 125
°
C
描述
这 tms28f512a flash 记忆 是 一个 65536 用
8-位 (524 288-位), 可编程序的 读-仅有的
记忆 那 能 是 用电气 大(量)-erased 和
reprogrammed. 它 是 有 在 10000 和 1000
程序/擦掉 忍耐力 循环 版本.
这 tms28f512a 是 offered 在 一个 32-含铅的 塑料
含铅的 碎片-运输车 包装 和 1,25-mm
(50-mil) 含铅的 间隔 (fm 后缀).
这 tms28f512a 是 典型 为 运作
在 温度 范围 的 0
°
c 至 70
°
c (fml 后缀),
–40
°
c 至 85
°
c (fme 后缀), 和 –40
°
c 至 125
°
C
(fmq 后缀).
请 是 知道 那 一个 重要的 注意 涉及 有效性, 标准 保用单, 和 使用 在 核心的 产品 的
德州 器械 半导体 产品 和 免责声明 附之 呈现 在 这 终止 的 这个 数据 薄板.
管脚 命名法
A0– A15 地址 输入
DQ0 – DQ7 输入 (程序编制) / 输出
E 碎片 使能
G
输出 使能
NC 非 内部的 连接
V
CC
5-v 电源 供应
V
PP
12-v 电源 供应
V
SS
地面
W
写 使能
fm 包装
( 顶 视图 )
3213231
14
5
6
7
8
9
10
11
12
13
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A14
A13
A8
A9
A11
G
A10
E
DQ7
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
430
15 16 17 18 19
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
A12
A15
NC
V
W
NC
20
DQ6
PP
V
CC
V
SS
版权
1997, 德州 器械 组成公司的
生产 数据 信息 是 电流 作 的 发行 日期.
产品 遵从 至 规格 每 这 条款 的 德州 器械
标准 保用单. 生产 处理 做 不 必然地 包含
测试 的 所有 参数.
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