2
LTC699
一个
U
G
W
一个
W
U
W
ARB
S
O
LU
T
EXI T
I
S
终端 电压
V
CC
...................................................–0.3v 至 6.0v
wdi 输入 .............................. –0.3v 至 v
CC
+ 0.3v
重置 输出 ......................................–0.3v 至 6v
电源 消耗............................................. 500mW
运行 温度 范围
LTC699C .............................................. 0
°
c 至 70
°
C
LTC699I ...........................................–40
°
c 至 85
°
C
存储 温度 范围 .................–65
°
c 至 150
°
C
含铅的 温度 (焊接, 10 秒.)................ 300
°
C
1
2
3
4 5
6
7
8
顶 view
WDI
V
CC
V
CC
GND
GND
LTC699
NC
RESET
n8 package
8-含铅的 塑料 dip
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
顶 view
GND
V
CC
V
CC
NC
GND
GND
s8 package
8-含铅的 塑料 soic
WDI
RESET
LTC699
LTC699CN8
LTC699IN8
LTC699CS8
LTC699IS8
顺序 部分
号码
(注释 1 和 2)
WU
U
包装
/
O
RDER I 为 ATIO
参数 CONDITONS 最小值 典型值 最大值 单位
运行 电压 范围
●
3.0 5.5 V
供应 电流 0.6 1.5 毫安
●
0.6 2.5
电源 向下 重置 assertion
●
4.5 4.65 4.75 V
电源 向上 重置 de-assertion
●
4.75 V
重置 门槛 hysteresis 40 mV
重置 起作用的 时间 160 200 240 ms
●
140 200 280
看门狗 时间-输出 时期 1.2 1.6 2.0 秒
●
1.0 1.6 2.25
重置 起作用的 时间 psrr 1 ms/v
看门狗 时间-输出 时期 psrr 8 ms/v
最小 wdi 输入 脉冲波 宽度 V
IL
= 0.4, v v
IH
= 3.5v
●
200 ns
重置 输出 电压 在 v
CC
= 1v (便条 3) I
下沉
= 10
µ
一个, v
CC
= 1v 4 200 mV
重置 输出 电压 I
下沉
= 1.6ma, v
CC
= 4.25v 0.4 V
重置 输出 短的 电路 电流 输出 下沉 电流 25 毫安
wdi 输入 门槛 逻辑 低 0.8 V
逻辑 高 2.0
wdi 输入 电流 wdi = v
输出
●
450
µ
一个
wdi = 0v
●
–50 –8
V
CC
= +5v, t
一个
= 25
°
c, 除非 否则 指出.
E
LECTR
IC
AL C CHARA TERIST
ICS
便条 2:
所有 电压 值 是 和 遵守 至 地.
便条 3:
重置 是 起作用的 低, 打开 流 输出.
这
●
denotes 规格 这个 应用 在 这 运行 温度
范围.
便条 1:
绝对 最大 比率 是 那些 值 在之外 这个 这 生命
的 设备 将 是 impaired.
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