5-30
图示 3. h
FE
vs i
E
图示 4. V
是
vs i
E
图示 5. V
是
vs 温度 图示 6. normalized h
FE
, h
IE
, h
RE
, h
OE
vs i
C
图示 7. y
FE
vs 频率 图示 8. y
IE
vs 频率
典型 效能 曲线
(持续)
发射级 电流 (毫安)
V
CE
= 3v
T
一个
= 25
o
C
静态的 向前 电流
转移 比率 (h
FE
)
120
110
100
90
80
70
60
50
0.01
0.1 1 10
h
FE
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
根基-至-发射级 电压 (v)
0.01 0.1 1.0 10
发射级 电流 (毫安)
V
CE
= 3v
T
一个
= 25
o
C
V
是
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
根基-至-发射级 电压 (v)
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125
温度 (
o
c)
V
CB
= 3v
I
E
= 3ma
I
E
= 1ma
I
E
= 0.5ma
V
CE
= 3v
f = 1khz
T
一个
= 25
o
C
h
OE
h
FE
h
RE
h
IE
h
FE
= 100
h
IE
= 3.5k
Ω
h
RE
= 1.88 x 10
-4
h
OE
= 15.6
µ
S
在
1mA
h
RE
h
IE
100
10
1.0
0.1
normalized h 参数
0.01 0.1 1.0 10
集电级 电流 (毫安)
T
一个
= 25
o
c, v
CE
= 3v, i
C
= 1ma
一般 发射级 电路, 根基 输入
向前 转移 conductance (g
FE
)
和 susceptance (b
FE
) (ms)
频率 (mhz)
0.1 10 100
-20
-10
0
10
20
30
40
g
FE
b
FE
1
T
一个
= 25
o
c, v
CE
= 3v, i
C
= 1ma
一般 发射级 电路, 根基 输入
输入 conductance (g
IE
)
和 susceptance (b
IE
) (ms)
频率 (mhz)
0.1 10 100
0
1
2
3
4
5
6
g
IE
b
IE
1
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