5-2
CA3127
绝对 最大 比率 热的 信息
这 下列的 比率 应用 为 各自 晶体管 在 这 设备
集电级-至-发射级 电压, v
CEO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15V
集电级-至-根基 电压, v
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V
集电级-至-基质 电压, v
CIO
(便条 1). . . . . . . . . . . . . 20V
集电级 电流, i
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mA
运行 情况
温度 范围. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
c 至 125
o
C
热的 阻抗 (典型, 便条 2)
θ
JA
(
o
c/w)
pdip 包装 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90
soic 包装 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175
最大 电源 消耗, p
D
(任何 一个 晶体管). . . . . . 85mW
最大 接合面 温度 (消逝) . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175
o
C
最大 接合面 温度 (塑料 包装). . . . . . . . 150
o
C
最大 存储 温度 范围 . . . . . . . . . -65
o
c 至 150
o
C
最大 含铅的 温度 (焊接 10s) . . . . . . . . . . . . . 300
o
C
(soic - 含铅的 tips 仅有的)
提醒: 压力 在之上 那些 列表 在 “absolute 最大 ratings” 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 仅有的 比率 和 运作
的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这个 规格 是 不 暗指.
注释:
1. 这 集电级 的 各自 晶体管 的 这 ca3127 是 分开的 从 这 基质 用 一个 integral 二极管. 这 基质 (终端 5) 必须 是 con-
nected 至 这 大多数 负的 要点 在 这 外部 电路 至 维持 分开 在 晶体管 和 至 提供 为 正常的 晶体管 action.
2.
θ
JA
是 量过的 和 这 组件 挂载 在 一个 evaluation pc 板 在 自由 空气.
电的 specifications
T
一个
= 25
o
C
参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
直流 特性
(为 各自 晶体管)
集电级-至-根基 损坏 电压 I
C
= 10
µ
一个, i
E
= 0 20 32 - V
集电级-至-发射级 损坏 电压 I
C
= 1ma, i
B
= 0 15 24 - V
集电级-至-基质 损坏-电压 I
C1
= 10
µ
一个, i
B
= 0, i
E
= 0 20 60 - V
发射级-至-根基 损坏 电压 (便条 3) I
E
= 10
µ
一个, i
C
= 0 4 5.7 - V
集电级-截止-电流 V
CE
= 10v i
B
= 0 - - 0.5
µ
一个
集电级-截止-电流 V
CB
= 10v, i
E
= 0 - - 40 nA
直流 向前-电流 转移 比率 V
CE
= 6v I
C
= 5ma 35 88 -
I
C
= 1ma 40 90 -
I
C
= 0.1ma 35 85 -
根基-至-发射级 电压 V
CE
= 6v I
C
= 5ma 0.71 0.81 0.91 V
I
C
= 1ma 0.66 0.76 0.86 V
I
C
= 0.1ma 0.60 0.70 0.80 V
集电级-至-发射级 饱和 电压 I
C
= 10ma, i
B
= 1ma - 0.26 0.50 V
巨大 的 区别 在 v
是
Q
1
和 q
2
Matched
V
CE
= 6v, i
C
= 1ma
- 0.5 5 mV
巨大 的 区别 在 i
B
- 0.2 3
µ
一个
动态 特性
噪音 图示 f = 100khz, r
S
= 500
Ω
, i
C
= 1ma - 2.2 - dB
增益-带宽 产品 V
CE
= 6v, i
C
= 5ma - 1.15 - GHz
集电级-至-根基 电容 V
CB
= 6v, f = 1mhz - 看
图. 5
-pf
集电级-至-基质 电容 V
CI
= 6v, f = 1mhz - - pF
发射级-至-根基 电容 V
是
= 4v, f = 1mhz - - pF
电压 增益 V
CE
= 6v, f = 10mhz, r
L
= 1k
Ω
, i
C
= 1ma - 28 - dB
电源 增益 栅地阴地放大器 配置
f = 100mhz, v+ = 12v, i
C
= 1ma
27 30 - dB
噪音 图示 - 3.5 - dB
输入 阻抗 一般-发射级 配置
V
CE
= 6v, i
C
= 1ma, f = 200 mhz
- 400 -
Ω
输出 阻抗 - 4.6 - k
Ω
输入 电容 - 3.7 - pF
输出 电容 -2-pf
巨大 的 向前 transadmittance - 24 - mS
便条:
3. 当 使用 作 一个 齐纳 为 涉及 电压, 这 设备 必须 不 是 subjected 至 更多 比 0.1mj 的 活力 从 任何 可能 capacitance
或者 静电的 释放 在 顺序 至 阻止 降级 的 这 接合面. 最大 运行 齐纳 电流 应当 是 较少 比 10ma.
: 点此下载
