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资料编号:211469
 
资料名称:CA3183AE
 
文件大小: 121.72K
   
说明
 
介绍:
High-Voltage Transistor Arrays
 
 


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6
图示 11. nf vs i
C
在 r
S
= 10k
图示 12. h
FE
, h
IE
, h
OE
, h
RE
vs i
C
图示 13. y
FE
vs 频率 图示 14. y
IE
vs 频率
图示 15. 图示 15. y
OE
vs 频率 图示 16. 图示 16. y
RE
vs 频率
典型 效能 曲线
动态 特性 (为 任何 晶体管) - ca3146 序列
(持续)
V
CE
= 5v
R
S
= 10000
T
一个
= 25
o
C
噪音 图示 (db)
集电级 电流 (毫安)
20
15
10
5
0
0.01 0.1 1.0
f = 0.1khz
f = 1khz
f = 10khz
25
30
100
10
1.0
0.1
normalized h 参数
0.01 0.1 1.0 10
集电级 电流 (毫安)
V
CE
= 5v
f = 1khz
T
一个
= 25
o
C
h
OE
h
FE
h
IE
h
FE
= 100
h
IE
= 2.7k
h
RE
= 1.88 x 10
-4
h
OE
= 15.6
µ
S
1mA
h
RE
T
一个
= 25
o
c, v
CE
= 5v, i
C
= 1ma
一般 发射级 电路, 根基 输入
向前 转移 conductance (g
FE
)
或者 susceptance (b
FE
) (ms)
频率 (mhz)
0.1 10 100
-20
-10
0
10
20
30
40
g
FE
b
FE
1.0
T
一个
= 25
o
c, v
CE
= 5v, i
C
= 1ma
一般 发射级 电路, 根基 输入
输入 conductance (g
IE
)
或者 susceptance (b
IE
) (ms)
频率 (mhz)
0.1 10 100
0
1
2
3
4
5
6
g
IE
b
IE
1.0
T
一个
= 25
o
c, v
CE
= 3v, i
C
= 1ma
一般 发射级 电路, 根基 输入
输出 conductance (g
OE
)
或者 susceptance (b
OE
) (ms)
频率 (mhz)
0
1
2
3
4
5
6
g
OE
b
OE
0.1 10 1001.0
T
一个
= 25
o
c, v
CE
= 5v, i
C
= 1ma
一般 发射级 电路, 根基 输入
反转 转移 conductance (g
RE
)
或者 susceptance (b
RE
) (ms)
频率 (mhz)
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
0
b
RE
1 10010
g
RE
是 小 在 发生率
较少 比 500mhz
ca3146, ca3146a, ca3183, ca3183a
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