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资料编号:211479
 
资料名称:CA3096CE
 
文件大小: 133.04K
   
说明
 
介绍:
NPN/PNP Transistor Arrays
 
 


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图示 39. 电容 vs 偏差 电压 (pnp)
典型 效能 曲线
(持续)
电容 (pf)
偏差 电压 (v)
6
5
4
3
2
1
012345678910
C
C
BI
C
BC
0
敷金属 掩饰 布局
CA3096H
403020100
40
30
20
10
0
37-45
(0.940-1.143)
4-10 (0.102-0.254)
37-45
(0.940-1.143)
维度 在 parentheses 是 在 毫米 和 是 获得 从 这
基本 inch 维度 作 表明. grid graduations 是 在 毫英寸 (10
-3
inch).
这 photographs 和 维度 代表 一个 碎片 当 它 是 部分 的
这 薄脆饼. 当 这 薄脆饼 是 截 在 碎片, 这 cleavage angles 是
57 degrees instead 的 90 degrees 和 遵守 至 这 面向 的 这 碎片.
因此, 这 分开的 碎片 是 的确 7mils (0.17mm) 大 在 两个都
维度.
ca3096, ca3096a, ca3096c
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