7-19
specifications cd40107bms
绝对 最大 比率 可靠性 信息
直流 供应 电压 范围, (vdd). . . . . . . . . . . . . . . -0.5v 至 +20v
(电压 关联 至 vss terminals)
输入 电压 范围, 所有 输入 . . . . . . . . . . . . .-0.5v 至 vdd +0.5v
直流 输入 电流, 任何 一个 输入
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .±
10mA
运行 温度 范围. . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
c 至 +125
o
C
包装 类型 d, f, k, h
存储 温度 范围 (tstg) . . . . . . . . . . . -65
o
c 至 +150
o
C
含铅的 温度 (在 焊接) . . . . . . . . . . . . . . . . . +265
o
C
在 距离 1/16
±
1/32 inch (1.59mm
±
0.79mm) 从 情况 为
10s 最大
热的 阻抗 . . . . . . . . . . . . . . . .
θ
ja
θ
jc
陶瓷的 插件 和 frit 包装 . . . . . 80
o
c/w 20
o
c/w
flatpack 包装 . . . . . . . . . . . . . . . . 70
o
c/w 20
o
c/w
最大 包装 电源 消耗 (pd) 在 +125
o
C
为 t
一个
= -55
o
c 至 +100
o
c (包装 类型 d, f, k) . . . . . . 500mW
为 t
一个
= +100
o
c 至 +125
o
c (包装 类型 d, f, k). . . . . .减额
线性 在 12mw/
o
c 至 200mw
设备 消耗 每 输出 晶体管. . . . . . . . . . . . . . . 100mW
为 t
一个
= 全部 包装 温度 范围 (所有 包装 类型)
接合面 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +175
o
C
表格 1. 直流 电的 效能 特性
参数 标识 情况
(便条 1)
组 一个
SUBGROUPS 温度
限制
UNITSMIN 最大值
供应 电流 IDD vdd = 20v, vin = vdd 或者 地 1 +25
o
c-2
µ
一个
2 +125
o
C - 200
µ
一个
vdd = 18v, vin = vdd 或者 地 3 -55
o
c-2
µ
一个
输入 泄漏 电流 IIL vin = vdd 或者 地 vdd = 20 1 +25
o
C -100 - nA
2 +125
o
C -1000 - nA
vdd = 18v 3 -55
o
C -100 - nA
输入 泄漏 电流 IIH vin = vdd 或者 地 vdd = 20 1 +25
o
C - 100 nA
2 +125
o
C - 1000 nA
vdd = 18v 3 -55
o
C - 100 nA
输出 驱动 电压 VOL5A vdd = 5v, iol = 16ma 1 +25
o
C - 0.4 V
输出 驱动 电压 VOL5B vdd = 5v, iol = 34ma 1 +25
o
C - 1.0 V
VOL10A vdd = 10v, iol = 37ma 1 +25
o
C - 0.5 V
输出 驱动 电压 VOL10B vdd = 10v, iol = 68ma 1 +25
o
C - 1.0 V
VOL15 vdd = 15v, iol = 50ma 1 +25
o
C - 0.5 V
输出 电流 (源) IOH5A
非 内部的 拉-向上 设备
输出 电流 (源) IOH5B
输出 电流 (源) IOH10
输出 电流 (源) IOH15
n 门槛 电压 VNTH vdd = 10v, iss = -10
µ
一个 1 +25
o
C -2.8 -0.7 V
p 门槛 电压 VPTH vss = 0v, idd = 10
µ
一个 1 +25
o
C 0.7 2.8 V
函数的 (便条 3) F vdd = 2.8v, vin = vdd 或者 地 7 +25
o
C voh >
vdd/2
vol <
vdd/2
V
vdd = 20v, vin = vdd 或者 地 7 +25
o
C
vdd = 18v, vin = vdd 或者 地 8A +125
o
C
vdd = 3v, vin = vdd 或者 地 8B -55
o
C
输入 电压 低
(便条 2, 3)
VIL vdd = 5v, voh > 4.5v, vol < 0.5v 1, 2, 3 +25
o
c, +125
o
c, -55
o
C - 1.5 V
输入 电压 高
(便条 2, 3)
VIH vdd = 5v, voh > 4.5v, vol < 0.5v 1, 2, 3 +25
o
c, +125
o
c, -55
o
C 3.5 - V
输入 电压 低
(便条 2, 3)
VIL vdd = 15v, voh > 13.5v,
vol < 1.5v
1, 2, 3 +25
o
c, +125
o
c, -55
o
c- 4 V
输入 电压 高
(便条 2, 3)
VIH vdd = 15v, voh > 13.5v,
vol < 1.5v
1, 2, 3 +25
o
c, +125
o
c, -55
o
C11 - V
触发-状态 输出
泄漏 高
IOZ vin = vdd 或者 地
vout = vdd
vdd = 20v 1 +25
o
c-2
µ
一个
2 +125
o
c-20
µ
一个
vdd = 18v 3 -55
o
c-2
µ
一个
注释: 1. 所有 电压 关联 至 设备 地, 100% 测试 正在
执行.
2. go/非 go 测试 和 限制 应用 至 输入.
3. 为 精度, 电压 是 量过的 differentially 至 vdd. 限制
是 0.050v 最大值
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