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资料编号:218095
资料名称:
CEF10N4
文件大小: 41.82K
说明
:
介绍
:
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
: 点此下载
1
2
3
4
5
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
电的
特性
(t
C
=25
C
除非
否则
指出)
参数
标识
情况
最小值
Ty
p
最大值
单位
止
特性
流-源
损坏
电压
BV
DSS
V
GS
=0v,
I
D
=
250
µ
一个
450
V
零
门
电压
流
电流
I
DSS
V
DS
=
450v,
V
GS
=0V
25
µ
一个
门-身体
泄漏
I
GSS
V
GS
=30v,v
DS
=0V
100
nA
在
特性
一个
门
门槛
电压
V
gs(th)
V
DS
=V
GS
,i
D
=250
µ
一个
24
V
流-源
在-状态
阻抗
R
ds(在)
V
GS
=
10v,
I
D
=6A
600
700
m
Ω
在-状态
流
电流
I
d(在)
V
GS
=
10v,
V
DS
=10V
10
一个
SForward
跨导
FS
g
V
DS
=
50v,
I
D
=6A
切换
特性
b
转变-在
延迟
时间
上升
时间
转变-止
延迟
时间
t
d(在)
t
r
t
d(止)
t
f
V
DD
=
200v,
I
D
=
10a,
V
GS
=10v,
R
GEN
=9.1
Ω
14
ns
ns
ns
ns
27
50
24
总的
门
承担
门-源
承担
门-流
承担
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
=320v,i
D
=10a,
V
GS
=10V
48
65
nC
nC
nC
4
15
下降
时间
6-108
流-源
AVALANCHE
比率
一个
单独的
脉冲波
流-源
Avalanche
活力
最大
流-源
Avalanche
电流
E
作
I
作
450
10
一个
mJ
500
100
3
6
60
100
125
75
7
25
V
DD
=50v,
l=9.16mh
R
G
=25
Ω
6
CEF10N4
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