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资料编号:218095
 
资料名称:CEF10N4
 
文件大小: 41.82K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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电的 特性 (t
C
=25 C 除非 否则 指出)
参数
标识
情况
最小值
Typ
最大值
单位
特性
流-源 损坏 电压
BV
DSS
V
GS
=0v,I
D
= 250
µ
一个
450
V
电压 电流
I
DSS
V
DS
= 450v, V
GS
=0V
25
µ
一个
门-身体 泄漏
I
GSS
V
GS
=30v,v
DS
=0V
100
nA
特性
一个
门槛 电压
V
gs(th)
V
DS
=V
GS
,i
D
=250
µ
一个
24
V
流-源 在-状态 阻抗
R
ds(在)
V
GS
= 10v, I
D
=6A
600
700
m
在-状态 电流
I
d(在)
V
GS
= 10v, V
DS
=10V
10
一个
SForward 跨导
FS
g
V
DS
= 50v, I
D
=6A
切换 特性
b
转变-在 延迟 时间
上升 时间
转变-止 延迟 时间
t
d(在)
t
r
t
d(止)
t
f
V
DD
= 200v,
I
D
= 10a,
V
GS
=10v,
R
GEN
=9.1
14
ns
ns
ns
ns
27
50
24
总的 承担
门-源 承担
门-流 承担
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
=320v,i
D
=10a,
V
GS
=10V
48
65
nC
nC
nC
4
15
下降 时间
6-108
流-源 AVALANCHE 比率
一个
单独的 脉冲波 流-源
Avalanche 活力
最大 流-源
Avalanche 电流
E
I
450
10
一个
mJ
500
100
3
6
60
100
125
75
7
25
V
DD
=50v, l=9.16mh
R
G
=25

6
CEF10N4
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