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资料编号:218132
 
资料名称:CEM4532
 
文件大小: 84.48K
   
说明
 
介绍:
Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
CEM4532
参数
标识
情况
最小值
Typ
最大值
单位
电的 特性 (t
一个
=25 C 除非 否则 指出)
流-源 二极管 特性
二极管 向前 电压
V
SD
V
GS
= 0v, = 1.7a n-ch 0.8
1.2
-0.8
-1.2
V
GS
= 0v, =-1.7a p-ch
V
b
C
注释
c.有保证的 设计, 主题 生产 测试.
b.脉冲波 测试:脉冲波 宽度 300
s, 职责 循环 2%.
一个.表面 挂载 FR4 板, t 10sec.
5-10
5
图示 3. 电容
V
DS
, 流-至 电压 (v)
c, 电容 (pf)
600
500
400
300
200
100
0 5 10 15 20 25 30
Ciss
Coss
Crss
0
图示 4. 在-阻抗 变化
温度
T
J
, 接合面 温度( c)
在-阻抗(ohms)
R
ds(在)
,
-50 -25
0
25
50
75
100
125 150
1.80
1.60
1.40
1.20
1.00
0.80
0.60
V
GS
=10V
I
D
=4.7a
R
ds(在)
, Normalized
图示 2. 转移 特性
V
GS
, 门-至-源 电压 (v)
I
D
, 电流 (一个)
n-频道
图示 1. 输出 特性
V
DS
, 流-至-源 电压 (v)
I
D
, 电流 (一个)
20
16
12
8
4
0
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
3.0
V
G
S
=3V
V
GS
=4V
V
GS
=5V
V
GS
=10,9,8,7,6v
20
16
12
8
4
0
12
3
4
5
-55 C
25 C
Tj=125 C
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