CEM11C2_集成电路资料查询网

图示 5. 门 门槛 变化
和 温度
图示 6. 损坏 电压 变化
和 温度
vth, Normalized
门-源 门槛 电压
g
FS
, 跨导 (s)
BV
DSS
, Normalized
流-源 损坏 电压
-是, 源-流 电流 (一个)
图示 7. 跨导 变化
和 流 电流
-i
DS
, 流-源 电流 (一个)
图示 8. 身体 二极管 向前 电压
变化 和 源 电流
-v
SD
, 身体 二极管 向前 电压 (v)
tj, 接合面 温度 ( c)
tj, 接合面 温度 ( c)
CEM11C2
12
9
6
15
0
048 1216
3
V
DS
=-16v
30.0
10.0
1.0
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
V
GS
=0V
p-频道
5-154
5
1.6
1.4
1.2
1.0
0.6
0.8
0.4
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
V
DS
=V
GS
I
D
=-250

一个
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
I
D
=-250

一个

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图示 5. 门门槛变化和温度图示 6. 损坏电压变化和温度 vth, Normalized 门-源门槛电压 g FS , 跨导 (s) BV DSS , Normalized 流-源损坏电压 -是, 源-流电流 (一个) 图示 7. 跨导变化和流电流 -i DS , 流-源电流 (一个) 图示 8. 身体二极管向前电压变化和源电流 -v SD , 身体二极管向前电压 (v) tj, 接合面温度 ( c) tj, 接合面温度 ( c) CEM11C2 12 9 6 15 0 048 1216 3 V DS =-16v 30.0 10.0 1.0 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 V GS =0V p-频道 5-154 5 1.6 1.4 1.2 1.0 0.6 0.8 0.4 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 V DS =V GS I D =-250  一个 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 1.15 1.10 1.05 1.00 0.95 0.90 0.85 I D =-250  一个

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