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资料编号:218174
 
资料名称:CEM4804
 
文件大小: 54.91K
   
说明
 
介绍:
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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CEM4804
电的 特性 (t
一个
=25 C 除非 否则 指出)
参数
标识
情况
最小值
Typ
最大值
单位
特性
流-源 损坏 电压
BV
DSS
V
GS
=0v,I
D
=250
µ
一个
30
V
电压 电流
I
DSS
V
DS
= 30v, V
GS
=0V
1
µ
一个
门-身体 泄漏
I
GSS
V
GS
= 20v, V
DS
=0V
100
特性
b
门槛 电压
V
gs(th)
V
DS
=V
GS
,i
D
= 250
µ
一个
1
3
V
流-源 在-状态 阻抗
R
ds(在)
V
GS
= 10v, I
D
= 6.3a
16
20
m
V
GS
= 4.5v, I
D
=5A
24
30
m
在-状态 电流
I
d(在)
V
DS
=5v, V
GS
= 10V
10
7
一个
SForward 跨导
FS
g
V
DS
=15v, I
D
=6A
动态 特性
c
输入 电容
C
ISS
C
RSS
C
OSS
输出 电容
反转 转移 电容
V
DS
=15v, V
GS
=0V
f =1.0mh
Z
857
P
F
343
P
F
P
F
105
切换 特性
c
转变-在 延迟 时间
上升 时间
转变-止 延迟 时间
t
d(在)
t
r
t
d(止)
t
f
V
DD
=10v,
I
D
=1a,
V
GS
=10v,
R
GEN
=6
22
45 ns
ns
ns
ns
34
70
43
90
18 35
总的 承担
门-源 承担
门-流 承担
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
=10v, I
D
= 3.5a,
V
GS
=10V
28
35
nC
nC
nC
4
7.5
C
下降 时间
5-99
5
nA
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