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文档 号码 86082
rev. 1.3, 11-8月-04
VISHAY
cg2 / dg2
vishay 半导体
电的 特性
T
amb
= 25 °c, 除非 否则 指定
典型 特性
(t
amb
= 25
°
c 除非 否则 指定)
参数 测试 情况 Part 标识 最小值 Typ. 最大值 单位
最大 instantaneous
向前 电压
I
F
= 2.0 一个 V
F
1.1 V
最大 反转 电流 V
R
= v
RRM
, t
amb
= 25 °C I
R
5.0
µ
一个
V
R
= v
RRM
, t
amb
= 100 °C I
R
100
µ
一个
最大 反转 恢复 时间 I
F
= 0.5 一个, i
R
= 50 毫安 CG2 t
rr
15
µ
s
DG2 t
rr
20
µ
s
I
F
= 0.5 一个, i
R
= 1.0 一个, i
r
= 0.25 一个 CG2 t
rr
1.0 1.5
µ
s
DG2 t
rr
1.0 1.5
µ
s
典型 接合面 电容 V
R
= 4.0 v, f = 1 mhz C
j
15 pF
图示 1. 向前 电流 减额 曲线
图示 2. 最大 非-repetitive 顶峰 向前 surge 电流
平均 向前 调整的 电流 (一个)
包围的 温度 (
°
c)
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.5
1.0
1.5
2.0
Resistive 或者
Inductive 加载
电容 加载
ipk/i
AV
=5.0
10
20
0.375" (9.5mm)
含铅的 长度
ipk/i
AV
=
π
gcg2_01
顶峰 向前 Surge 电流 (一个)
号码 的 循环 在 60 Hz
1
10
100
0
10
20
30
40
50
8.3ms 单独的 Half sine-波
(电子元件工业联合会 方法)
T
J
=25
°
C
非 加载 情况
T
J
=T
jmax.
gcg2_02
图示 3. 典型 instantaneous 向前 特性
图示 4. 典型 反转 特性
Instantaneous 向前 电流 (一个)
Instantaneous 向前 电压 (v)
0
.4
0
.6
0
.8
1
.0
1
.2
1
.4
1
.6
0.01
0.1
1
10
T
J
= 150
°
C
T
J
=25
°
C
脉冲波 宽度 = 300
µ
s
1% 职责 循环
gcg2_03
Instantaneous 反转 电流 (
µ
一个)
百分比 的 评估 顶峰 反转 电压 (%)
0
20
40
60
80
100
0.01
0.1
1
10
T
J
=25
°
C
T
J
= 125
°
C
gcg2_04
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