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一般 信息
一个 电容 是 一个 组件 这个 是 有能力
的 storing 电的 活力. 它 组成 的 二 传导性的
plates (electrodes) separated 用 insulating 材料 这个 是
called 这 dielectric. 一个 典型 formula 为 determining
电容 是:
c =
.224 ka
t
C
= 电容 (picofarads)
K
= dielectric 常量 (vacuum = 1)
一个
= 范围 在 正方形的 英寸
t
= 分离 在 这 plates 在 英寸
(厚度 的 dielectric)
.224
= 转换 常量
(.0884 为 metric 系统 在 cm)
电容 –
这 标准 单位 的 电容
是 这 farad. 一个 电容 有 一个 电容 的 1 farad
当 1 coulomb charges 它 至 1 volt. 一个 farad 是 一个 非常
大 单位 和 大多数 电容 有 值 在 这 微观的
(10
-6
), nano (10
-9
) 或者 pico (10
-12
) farad 水平的.
dielectric 常量 –
在 这 formula 为 电容
给 在之上 这 dielectric 常量 的 一个 vacuum 是
arbitrarily 选择 作 这 号码 1. dielectric constants
的 其它 材料 是 然后 对照的 至 这 dielectric
常量 的 一个 vacuum.
dielectric 厚度 –
电容 是 indirectly propor-
tional 至 这 分离 在 electrodes. 更小的 volt-
age (所需的)东西 意思 thinner dielectrics 和 更好
电容 每 容积.
范围 –
电容 是 直接地 均衡的 至 这 范围 的
这 electrodes. 自从 这 其它 变量 在 这 等式
是 通常地 设置 用 这 效能 desired, 范围 是 这
easiest 参数 至 modify 至 获得 一个 明确的 capaci-
tance 在里面 一个 材料 组.
活力 贮存 –
这 活力 这个 能 是 贮存 在 一个
电容 是 给 用 这 formula:
E
=
1
⁄
2
CV
2
E
= 活力 在 joules (watts-秒)
V
= 应用 电压
C
= 电容 在 farads
潜在的 改变 –
一个 电容 是 一个 有反应的
组件 这个 reacts 相反 一个 改变 在 潜在的
横过 它. 这个 是 显示 用 这 等式 为 这 直线的
承担 的 一个 电容:
I
完美的
=
C
dV
dt
在哪里
I
= 电流
C
= 电容
dv/dt
= 斜度 的 电压 转变 横过 电容
因此 一个 极大的 电流 将 是 必需的 至 instantly
改变 这 潜在的 横过 一个 电容. 这 数量 的
电流 一个 电容 能 “sink” 是 决定 用 这
在之上 等式.
相等的 电路 –
一个 电容, 作 一个 实际的 设备,
exhibits 不 仅有的 电容 但是 也 阻抗 和
电感. 一个 simplified 图式 为 这 相等的
电路 是:
C
= 电容
L
= 电感
R
s
= 序列 阻抗
R
p
= 并行的 阻抗
reactance –
自从 这 绝缘 阻抗 (r
p
)
是 正常情况下 非常 高, 这 总的 阻抗 的 一个 电容
是:
z = R
2
S
+ (x
C
- x
L
)
2
在哪里
Z
= 总的 阻抗
R
s
= 序列 阻抗
X
C
= 电容的 reactance = 1
2
π
fC
X
L
= inductive reactance = 2
π
fL
这 变化 的 一个 电容’s 阻抗 和 频率
确定 它的 成效 在 许多 产品.
阶段 角度 –
电源 因素 和 消耗 因素 是
常常 confused 自从 它们 是 两个都 measures 的 这 丧失
在 一个 电容 下面 交流 应用 和 是 常常 almost
完全同样的 在 值. 在 一个 “perfect” 电容 这 电流 在
这 电容 将 含铅的 这 电压 用 90°.
这 电容
R
L
R
C
P
S
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