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这 效应 的 这 应用 的 直流 电压 是 显示 在
图示 4. 这 电压 系数 是 更多 pronounced 为
高等级的 k dielectrics. 这些 计算数量 是 显示 为 房间 tem-
perature 情况. 这 结合体 典型的 知道
作 电压 温度 限制 这个 显示 这 影响 的
评估 电压 在 这 运行 温度 范围 是
显示 在 图示 5 为 这 军队 bx 典型的.
cap. 改变 vs. d.c. 伏特
avx x7r t.c.
典型 cap. 改变 vs. 温度
avx x7r t.c.
cap. 改变 vs. 频率
“q” vs. 频率
影响 的 频率 –
频率 affects 电容
和 消耗 因素 作 显示 在 计算数量 6 和 7.
变化 的 阻抗 和 频率 是 一个 重要的 con-
sideration 为 解耦 电容 产品. 含铅的
长度, 含铅的 配置 和 身体 大小 所有 影响 这
阻抗 水平的 在 更多 比 陶瓷的 formulation varia-
tions. (图示 8)
影响 的 时间 –
类 2 陶瓷的 电容 改变
电容 和 消耗 因素 和 时间 作 好 作
温度, 电压 和 频率. 这个 改变 和 时间
是 知道 作 变旧. 变旧 是 造成 用 一个 gradual re-排整齐-
ment 的 这 crystalline 结构 的 这 陶瓷的 和
生产 一个 exponential 丧失 在 电容 和 decrease
在 消耗 因素 相比 时间. 一个 典型 曲线 的 变旧
比率 为 semistable ceramics 是 显示 在 图示 9 和 一个
表格 是 给 表明 这 变旧 比率 的 各种各样的 dielectrics.
如果 一个 陶瓷的 电容 那 有 被 sitting 在 这 shelf 为
一个 时期 的 时间, 是 heated 在之上 它的 curie 要点, (125°c 为
4 小时 或者 150°c 为
1
⁄
2
小时 将 suffice) 这 部分 将
de-age 和 返回 至 它的 最初的 电容 和 消耗
因素 readings. 因为 这 电容 改变 迅速,
立即 之后 de-变旧, 这 基本 电容
度量 是 正常情况下 涉及 至 一个 时间 时期 一些-
时间 之后 这 de-变旧 处理. 各种各样的 manufacturers 使用
不同的 时间 根基 但是 这 大多数 popular 一个 是 一个 日 或者
twenty-四 小时 之后 “last 热温.” 改变 在 这 变旧
曲线 能 是 造成 用 这 应用 的 电压 和
其它 压力. 这 可能 改变 在 电容 预定的 至
de-变旧 用 加热 这 单位 explain why 电容
改变 是 允许 之后 测试, 此类 作 温度
cycling, 潮气 阻抗, 等., 在 mil 规格. 这
应用 的 高 电压 此类 作 dielectric 承受
电压 也 tends 至 de-age 电容 和 是 why
re-读 的 电容 之后 12 或者 24 小时 是 允许 在
军队 规格 之后 dielectric 力量 tests 有
被 执行.
这 电容
25% 50% 75% 100%
百分比 评估 伏特
电容 改变 百分比
2.5
0
-2.5
-5
-7.5
-10
0VDC
RVDC
-55 -35 -15 +5 +25 +45 +65 +85 +105 +125
温度 degrees 摄氏度的
电容 改变 百分比
+20
+10
0
-10
-20
-30
avx c0g (np0) t.c.
avx x7r t.c.
1 10 100 1 10 100 1
khz khz khz mhz mhz mhz ghz
频率
电容 改变 百分比
0
-10
-20
-30
AVX
c0g (np0)
t.c.
avx x7r t.c.
1 10 100 1 10 100 1
khz khz khz mhz mhz mhz ghz
频率
2000
1600
1200
800
400
0
"q" 因素
图示 4
图示 5
图示 6
图示 7
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