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手机版
资料编号:22632
资料名称:
11N60S5
文件大小: 335.41K
说明
:
介绍
:
Cool MOS⑩ Power Transistor
: 点此下载
2
3
4
5
6
7
8
9
10
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2004-03-30rev. 2.1
页 6
spp11n60s5, spb11n60s5
SPI11N60S5
5 典型值 输出 典型的
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=150°C
参数:
t
p
= 10 µs,
V
GS
0
5
10
15
V
25
V
DS
0
2
4
6
8
10
12
14
一个
18
I
D
6V
7V
8V
9V
20V
12V
10V
6 典型值 流-源 在 阻抗
R
ds(在)
=
f
(
I
D
)
参数:
T
j
=150°c,
V
GS
0
2
4
6
8
10
12
14
一个
18
I
D
0
0.5
1
m
Ω
2
R
ds(在)
20V
12V
10V
9V
8V
7V
6V
7 流-源 在-状态 阻抗
R
ds(在)
=
f
(
T
j
)
参数 :
I
D
= 7 一个,
V
GS
= 10 v
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
Ω
2.1
SPP11N60S5
R
ds(在)
典型值
98%
8 典型值 转移 特性
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
ds(在)最大值
参数:
t
p
= 10 µs
0
4
8
12
V
20
V
GS
0
4
8
12
16
20
24
一个
32
I
D
25 °c
150 °c
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