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三月. 2001
mitsubishi hvigbt modules
cm1200hc-66h
高 电源 切换 使用
insulated 类型
效能 曲线
3rd-版本 hvigbt (高 电压 insulated 门 双极 晶体管) modules
10
1
2310
–
1
5710
0
23 5710
1
23 5710
2
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
7
5
3
2
10
0
电容 vs. v
CE
(
典型
)
电容 c
ies
, c
oes
, c
res
(
nF
)
集电级-发射级 电压 v
CE
(
V
)
V
GE
= 0v, t
j
= 25
°
C
C
ies,
C
oes
: f = 100khz
C
res
: f = 1mhz
输出 特性
(
典型
)
集电级 电流 i
C
(
一个
)
转移 特性
(
典型
)
集电级 电流 i
C
(
一个
)
门-发射级 电压 v
GE
(
V
)
集电级-发射级
饱和 电压 v
ce(sat)
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
一个
)
发射级 电流 i
E
(
一个
)
发射级-集电级 电压 v
EC
(
V
)
2400
800
400
0
200
4812
1200
16
2000
1600
0
8
6
4
2
24000
400 800 16001200 2000
054321
10
2
10
4
7
5
3
2
10
3
7
5
3
2
7
5
3
2
10
1
0
400
800
1200
1600
2000
2400
100
2468
自由-轮子 二极管
向前 特性
(
典型
)
集电级-发射级 饱和
电压 特性
(
典型
)
T
j
= 25
°
C
V
GE
= 14v
V
GE
= 13v
V
GE
= 12v
V
GE
= 11v
V
GE
= 10v
V
GE
= 9v
V
GE
= 8v
V
GE
= 15v
V
GE
= 20v
V
CE
= 10v
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
V
GE
= 15v
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
T
j
= 25
°
C
集电级-发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
(
V
)
020161284
10
8
6
4
2
0
集电级-发射级
饱和 电压 v
ce(sat)
(
V
)
门-发射级 电压 v
GE
(
V
)
集电级-发射级 饱和
电压 特性
(
典型
)
T
j
= 25
°
C
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