首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:226689
 
资料名称:CM150DU-12F
 
文件大小: 351.42K
   
说明
 
介绍:
Trench Gate Design Dual IGBTMOD⑩ 150 Amperes/600 Volts
 
 


: 点此下载
  浏览型号CM150DU-12F的Datasheet PDF文件第1页
1

2
浏览型号CM150DU-12F的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号CM150DU-12F的Datasheet PDF文件第4页
4
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2
cm150du-12f
Trench 门 设计 双 igbtmod™
150 amperes/600 伏特
Powerex,公司,200 e. hillis 街道,Youngwood,Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272
绝对 最大 比率,
T
j
= 25
°
c 除非 否则 指定
比率 标识 cm150du-12f 单位
Junction 温度 T
j
-40 至 150
°
C
存储 温度 T
stg
-40 至 125
°
C
集电级-发射级 电压 (g-e 短的) V
CES
600 伏特
门-发射级 电压 (c-e 短的) V
GES
±
20 伏特
集电级 电流 (t
c
= 25
°
c) I
C
150 Amperes
Peak 集电级 电流 I
CM
300* Amperes
发射级 current** (t
c
= 25
°
c) I
E
150 Amperes
Peak 发射级 current** I
EM
300* Amperes
最大 集电级 消耗 (t
c
= 25
°
c, t
j
150
°
c) P
c
520 Watts
挂载 torque, m5 主要的 终端 31 在-lb
挂载Torque, m6 挂载40在-lb
W第八 310 Grams
分开 电压 (主要的 终端 至 baseplate, 交流 1 最小值.) V
iso
2500 伏特
静态的 电的 特性,
T
j
= 25
°
c 除非 否则 指定
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级-截止 电流 I
CES
V
CE
= v
CES
, v
GE
= 0v 1 毫安
门 泄漏 电流 I
GES
V
GE
= v
GES
, v
CE
= 0v 20
µ
一个
门-发射级 门槛 电压 V
ge(th)
I
C
= 15ma, v
CE
= 10v 5 6 7 伏特
集电级-发射级 饱和 电压 V
ce(sat)
I
C
= 150a, v
GE
= 15v, t
j
= 25
°
C– 1.6 2.2 伏特
I
C
= 150a, v
GE
= 15v, t
j
= 125
°
C– 1.6 伏特
Total 门 承担 Q
G
V
CC
= 300v, i
C
= 150a, v
GE
= 15v 930 nC
发射级-集电级 voltage** V
EC
I
E
= 150a, v
GE
= 0v 2.6 伏特
* 脉冲波 宽度 和 repetition 比率 应当 是 此类 那 这 设备 接合面 温度 (t
j
) 做 不 超过 t
j(最大值)
比率.
** 代表 特性 的 这 反对-并行的, 发射级-至-集电级 自由-轮子 二极管 (fwdi).
2
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com