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资料编号:227230
 
资料名称:CM50DU-24F
 
文件大小: 104.63K
   
说明
 
介绍:
Trench Gate Design Dual IGBTMOD⑩ 50 Amperes/1200 Volts
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
4
cm50du-24f
trench 门 设计 双 igbtmod
50 amperes/1200 伏特
powerex, inc., 200 hillis 街道, youngwood, pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272
4
门 承担, q
G
, (nc)
门-发射级 电压, v
GE
, (伏特)
门 承担, v
GE
20
0 200
16
12
8
4
0
400 800
V
CC
= 600v
600
V
CC
= 400v
I
C
= 50a
发射级 电流, i
E
, (amperes)
反转 恢复 时间, t
rr
, (ns)
反转 恢复 特性
(典型)
10
2
10
0
10
1
10
2
10
1
10
0
t
rr
I
rr
10
2
10
1
10
0
反转 恢复 电流, i
rr
, (amperes)
集电级 电流, i
C
, (amperes)
10
3
10
0
10
1
10
2
10
2
10
1
10
0
t
d(止)
t
d(在)
t
r
V
CC
= 600v
V
GE
=
±
15V
R
G
= 6.3
T
j
= 125
°
C
inductive 加载
t
f
切换 时间, (ns)
half-桥
切换 特性
(典型)
集电级-发射级 电压, v
CE
, (伏特)
电容, c
ies
, c
oes
, c
res
, (nf)
电容 vs. v
CE
(典型)
10
-1
10
0
10
2
10
2
10
1
10
0
10
-1
V
GE
= 0v
10
1
C
ies
C
oes
0 1.0 2.0 3.0 4.0
10
0
10
1
发射级-集电级 电压, v
EC
, (伏特)
自由-轮子 二极管
向前 特性
(典型)
10
2
发射级 电流, i
E
, (amperes)
门-发射级 电压, v
GE
, (伏特)
集电级-发射级
饱和 电压, v
ce(sat)
, (伏特)
集电级-发射级
饱和 电压 特性
(典型)
5
068 1210 181614 20
4
3
2
1
0
T
j
= 25
°
C
I
C
= 20a
I
C
= 100a
I
C
= 50a
集电级-电流, i
C
, (amperes)
集电级-发射级
饱和 电压, v
ce(sat)
, (伏特
)
集电级-发射级
饱和 电压 特性
(典型)
3
020406080
2
1
0
100
V
GE
= 15v
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
集电级-发射级 电压, v
CE
, (伏特)
集电级 电流, i
C
, (amperes)
输出 特性
(典型)
01 2 34
0
T
j
= 25
o
C
20
40
60
80
100
V
GE
= 20v
15
10
9.5
9
8.5
8
11
V
CC
= 600v
V
GE
=
±
15V
R
G
= 6.3
T
j
= 25
°
C
inductive 加载
C
res
T
j
= 25
°
C
时间, (s)
normalized 瞬时 热的 阻抗, z
th(j-c)
瞬时 热的
阻抗 特性
(igbt &放大; fwdi)
10
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
-2
10
-3
Z
th
= r
th
• (normalized 值)
每 单位 根基
R
th(j-c)
= 0.39
°
c/w (igbt)
R
th(j-c)
= 0.7
°
c/w (fwdi)
单独的 脉冲波
T
C
= 25
°
C
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