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资料编号:227308
 
资料名称:CM75TU-24F
 
文件大小: 127.82K
   
说明
 
介绍:
Trench Gate Design Six IGBTMOD⑩ 75 Amperes/1200 Volts
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
8月. 1999
mitsubishi igbt modules
cm75tu-24f
高 电源 切换 使用
10
0
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23 57
10
2
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2
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–1
3
2
23 57 23 57
单独的 脉冲波
T
C
= 25
°
C
I
rr
t
rr
情况:
V
CC
= 600v
V
GE
=
±
15V
R
G
= 4.2
T
j
= 25
°
C
inductive 加载
V
CC
= 400v
V
CC
= 600v
I
C
= 75a
反转 恢复 特性
的 自由-轮子 二极管
(典型)
发射级 电流 i
E
(一个)
瞬时 热的
阻抗 特性
(igbt 部分 &放大; fwdi 部分)
normalized 瞬时
热的 阻抗 z
th (j–c)
(
°
c/w)
tmie (s)
门 承担
特性
(典型)
门-发射级 电压 v
GE
(v)
门 承担 q
G
(nc)
igbt 部分:
每 单位 根基 = r
th(j–c)
= 0.28
°
c/W
fwdi 部分:
每 单位 根基 = r
th(j–c)
= 0.47
°
c/W
反转 恢复 时间 t
rr
(ns)
反转 恢复 电流 l
rr
(一个)
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