sep.1998
绝对 最大 比率, t
j
= 25 °c 除非 否则 指定
比率 标识 cm800ha-24h 单位
接合面 温度 T
j
–40 至 +150 °C
存储 温度 T
stg
–40 至 +125 °C
集电级-发射级 电压 (g-e 短的) V
CES
1200 伏特
门-发射级 电压 (c-e 短的) V
GES
±20 伏特
集电级 电流 (t
C
= 25°c) I
C
800 Amperes
顶峰 集电级 电流 (t
j
≤
150°c) I
CM
1600* Amperes
发射级 current** (t
C
= 25°c) I
E
800 Amperes
顶峰 发射级 current** I
EM
1600* Amperes
最大 集电级 消耗 (t
C
= 25°c) P
c
4800 Watts
挂载 torque, m8 主要的 终端 – 8.83 ~ 10.8 n · m
挂载 torque, m6 挂载 – 1.96 ~ 2.94 n · m
挂载 torque, m4 终端 – 0.98 ~ 1.47 n · m
重量 – 1600 Grams
分开 电压 (主要的 终端 至 baseplate, 交流 1 最小值.) V
iso
2500 电压有效值
*pulse 宽度 和 repetition 比率 应当 是 此类 那 这 设备 接合面 温度 (t
j
) 做 不 超过 t
j(最大值)
比率.
**represents 特性 的 这 反对-并行的, 发射级-至-集电级 自由-轮子 二极管 (fwdi).
静态的 电的 特性, t
j
= 25 °c 除非 否则 指定
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级-截止 电流 I
CES
V
CE
= v
CES
, v
GE
= 0v – – 5.0 毫安
门 泄漏 电流 I
GES
V
GE
= v
GES
, v
CE
= 0v – – 0.5
µ
一个
门-发射级 门槛 电压 V
ge(th)
I
C
= 80ma, v
CE
= 10v 4.5 6.0 7.5 伏特
集电级-发射级 饱和 电压 V
ce(sat)
I
C
= 800a, v
GE
= 15v – 2.7 3.6 伏特
I
C
= 800a, v
GE
= 15v, t
j
= 150°c – 2.4 – 伏特
总的 门 承担 Q
G
V
CC
= 600v, i
C
= 800a, v
GE
= 15v – 4500 – nC
发射级-集电级 电压 V
EC
I
E
= 800a, v
GE
= 0v – – 3.5 伏特
* 脉冲波 宽度 和 repetition 比率 应当 是 此类 那 设备 接合面 温度 上升 是 negligible.
动态 电的 特性, t
j
= 25 °c 除非 否则 指定
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
输入 电容 C
ies
– – 180 nF
输出 电容 C
oes
V
GE
= 0v, v
CE
= 10v – – 64 nF
反转 转移 电容 C
res
–– 36nF
Resistive 转变-在 延迟 时间 t
d(在)
– – 500 ns
加载 上升 时间 t
r
V
CC
= 600v, i
C
= 800a, – – 1200 ns
切换 转变-止 延迟 时间 t
d(止)
V
GE1
= v
GE2
= 15v, r
G
= 3.3
Ω
– – 1000 ns
时间 下降 时间 t
f
– – 350 ns
二极管 反转 恢复 时间 t
rr
I
E
= 800a, di
E
/dt = –1600a/
µ
s – – 250 ns
二极管 反转 恢复 承担 Q
rr
I
E
= 800a, di
E
/dt = –1600a/
µ
s – 5.9 –
µ
C
热的 和 机械的 特性, t
j
= 25 °c 除非 否则 指定
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
热的 阻抗, 接合面 至 情况 R
th(j-c)
每 igbt – – 0.026 °c/w
热的 阻抗, 接合面 至 情况 R
th(j-c)
每 fwdi – – 0.058 °c/w
联系 热的 阻抗 R
th(c-f)
每 单元, 热的 grease 应用 – – 0.018 °c/w
mitsubishi igbt modules
cm800ha-24h
高 电源 切换 使用
insulated 类型
: 点此下载
