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资料编号:231054
 
资料名称:CPV364MF
 
文件大小: 460.24K
   
说明
 
介绍:
IGBT SIP MODULE Fast IGBT
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
c-158
CPV364MF
脉冲波 宽度
80µs; 职责 因素
0.1%.
V
CC
=80%(v
CES
), v
GE
=20v, l=10µh,
R
G
= 10
, ( 看 图. 19 )
脉冲波 宽度 5.0µs,
单独的 shot.
repetitive 比率; v
GE
=20v, 脉冲波 宽度
限制 用 最大值 接合面 温度.
( 看 图. 20 )
注释:
切换 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
V
(br)ces
集电级-至-发射级 损坏 电压 600 V V
GE
= 0v, i
C
= 250µa
V
(br)ces
/
T
J
温度.coeff. 的 损坏 电压 0.69 v/°c V
GE
= 0v, i
C
= 1.0ma
V
ce(在)
集电级-至-发射级 饱和 电压 1.4 1.6 I
C
= 15a V
GE
= 15v
1.8 V I
C
= 27a 看 图. 2, 5
1.5 I
C
= 15a, t
J
= 150°c
V
ge(th)
门 门槛 电压 3.0 5.5 V
CE
= v
GE
, i
C
= 250µa
V
ge(th)
/
T
J
温度.coeff. 的 门槛 电压 -12 mv/°c V
CE
= v
GE
, i
C
= 250µa
g
fe
向前 跨导 9.2 12 S V
CE
= 100v, i
C
= 27a
I
CES
零 门 电压 集电级 电流 250 µA V
GE
= 0v, v
CE
= 600v
3500 V
GE
= 0v, v
CE
= 600v, t
J
= 150°c
V
FM
二极管 向前 电压 漏出 1.3 1.7 V I
C
= 15a 看 图. 13
1.2 1.6 I
C
= 15a, t
J
= 150°c
I
GES
门-至-发射级 泄漏 电流 ±500 nA V
GE
= ±20v
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
Q
g
总的 门 承担 (转变-在) 59 80 I
C
= 27a
Q
ge
门 - 发射级 承担 (转变-在) 8.6 10 nC V
CC
= 400v
Q
gc
门 - 集电级 承担 (转变-在) 25 42 看 图. 8
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 26 T
J
= 25°c
t
r
上升 时间 37 ns I
C
= 27a, v
CC
= 480v
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 240 410 V
GE
= 15v, r
G
= 10
t
f
下降 时间 230 420 活力 losses 包含 "tail" 和
E
转变-在 切换 丧失 0.53 二极管 反转 恢复
E
转变-止 切换 丧失 1.3 mJ 看 图. 9, 10, 11, 18
E
ts
总的 切换 丧失 1.8 2.8
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 28 T
J
= 150°c, 看 图. 9, 10, 11, 18
t
r
上升 时间 37 ns I
C
= 27a, v
CC
= 480v
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 380 V
GE
= 15v, r
G
= 10
t
f
下降 时间 460 活力 losses 包含 "tail" 和
E
ts
总的 切换 丧失 3.4 mJ 二极管 反转 恢复
C
ies
输入 电容 1500 V
GE
= 0v
C
oes
输出 电容 190 pF V
CC
= 30v 看 图. 7
C
res
反转 转移 电容 20 ƒ = 1.0mhz
t
rr
二极管 反转 恢复 时间 42 60 ns T
J
= 25°c 看 图.
74 120 T
J
= 125°c 14I
F
= 15a
I
rr
二极管 顶峰 反转 恢复 电流 4.0 6.0 一个 T
J
= 25°c 看 图.
6.5 10 T
J
= 125°c 15 v
R
= 200v
Q
rr
二极管 反转 恢复 承担 80 180 nC T
J
= 25°c 看 图.
220 600 T
J
= 125°c 16di/dt = 200a/µs
di
(rec)m
/dt 二极管 顶峰 比率 的 下降 的 恢复 188 一个/µs T
J
= 25°c 看 图.
在 t
b
160 T
J
=125°c 17
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