二月.1999
mitsubishi 半导体
〈
THYRISTOR
〉
CR12AM
中等 电源 使用
非-insulated 类型, glass passivation 类型
✽
1. 这 联系 热的 阻抗 r
th (c-f)
是 1.0
°
c/w 和 greased.
电的 特性
测试 情况
T
j
=125
°
c, v
RRM
应用
T
j
=125
°
c, v
DRM
应用
T
c
=25
°
c, i
TM
=40a,
T
j
=25
°
c, v
D
=6v, i
T
=1A
T
j
=125
°
c, v
D
=1/2v
DRM
T
j
=25
°
c, v
D
=6v, i
T
=1A
T
j
=25
°
c, v
D
=12V
接合面 至 情况
✽
1
单位
毫安
毫安
V
V
V
毫安
毫安
°
c/w
典型值
—
—
—
—
—
—
15
—
标识
I
RRM
I
DRM
V
TM
V
GT
V
GD
I
GT
I
H
R
th (j-c)
参数
repetitive 顶峰 反转 电流
repetitive 顶峰 止-状态 电流
在-状态 电压
门 触发 电压
门 非-触发 电压
门 触发 电流
支持 电流
热的 阻抗
限制
最小值
—
—
—
—
0.2
—
—
—
最大值
2.0
2.0
1.6
1.5
—
30
—
1.2
10
0
23 5710
1
160
80
23 5710
2
44
240
320
400
120
40
200
280
360
0
3.80.6 1.4 2.2 3.01.0 1.8 2.6 3.4
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
T
c
= 25°c
最大 在-状态 特性
在-状态 电流 (一个)
在-状态 电压 (v)
评估 surge 在-状态 电流
surge 在-状态 电流 (一个)
传导 时间
(循环 在 60hz)
效能 曲线
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