二月.1999
mitsubishi 半导体
〈
THYRISTOR
〉
CR12AM
中等 电源 使用
非-insulated 类型, glass passivation 类型
64
48
24
16
8
56
40
32
0
320
816242841220
θ
= 30°
60°
120°
90°
180°
270°
直流
θ
360°
resistive,
INDUCTIVE
负载
160
120
60
40
20
140
100
80
0
1.60
0.4 0.8 1.2 1.40.2 0.6 1.0
θ
360°
θ
= 30°
60°
180°
120°
90°
resistive,
INDUCTIVE
负载
自然的
CONVECTION
160
120
60
40
20
140
100
80
0
1.60
0.4 0.8 1.2 1.40.2 0.6 1.0
θ
= 30°
60°
180°
90°
120°
θ θ
360°
RESISTIVE
负载
自然的
CONVECTION
160
120
60
40
20
140
100
80
0
320
816242841220
180°
θ θ
360°
60°
90°
120°
θ
= 30°
RESISTIVE
负载
64
48
24
16
8
56
40
32
0
320
816242841220
θ
= 30°
60°
90°
180°
θ θ
360°
120°
resistive 负载
160
120
60
40
20
140
100
80
0
320
816242841220
θ
360°
resistive,
INDUCTIVE
负载
θ
= 30° 180° 直流
270°
90
°
120°60°
容许的 包围的 温度 vs.
平均 在-状态 电流
(单独的-阶段 half 波)
包围的 温度 (°c)
平均 在-状态 电流 (一个)
最大 平均 电源 消耗
(单独的-阶段 全部 波)
平均 电源 消耗 (w)
平均 在-状态 电流 (一个)
容许的 包围的 温度 vs.
平均 在-状态 电流
(单独的-阶段 全部 波)
包围的 温度 (°c)
平均 在-状态 电流 (一个)
最大 平均 电源 消耗
(rectangular 波)
平均 电源 消耗 (w)
平均 在-状态 电流 (一个)
容许的 情况 温度 vs.
平均 在-状态 电流
(rectangular 波)
情况 温度 (°c)
平均 在-状态 电流 (一个)
容许的 情况 温度 vs.
平均 在-状态 电流
(单独的-阶段 全部 波)
情况 温度 (°c)
平均 在-状态 电流 (一个)
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