二月.1999
mitsubishi 半导体
〈
THYRISTOR
〉
CR3PM
低 电源 使用
insulated 类型, glass passivation 类型
10
–1
10
1
7
5
3
2
10
0
23 5710
1
10
0
7
5
3
2
23 5710
2
4
4
44
#
V
D
= 100v
T
一个
= 25°c
典型
例子
I
GT
(25°c)
# 33µa
10
2
2310
0
5710
1
23 5710
2
23 5710
3
10
4
7
5
3
2
10
3
7
5
3
2
7
5
3
2
10
1
0.1s
tw
典型 例子
–40–20 0 20 40 60 80 100120140160
160
0
80
100
120
140
40
60
20
典型 例子
2310
–1
5710
0
23 5710
1
23 5710
2
400
0
200
250
300
350
100
150
50
# 2
# 1
I
GT
(25°c)
# 1 25µa
# 2 50µa
典型 例子
80
60
30
20
10
70
50
40
0
1600
40 80 120 14020 60 100
I
T
= 2a
V
D
= 50v, v
R
= 50v
dv/dt = 5v/µs
,,,,,,,,,
,,,,,,,,,
,,,,,,,,,
,,,,,,,,,
,,,,,,,,,
,,,,,,,,,
,,,,,,,,,
,,,,,,,,,
,,,,,,,,,
,,,,,,,,,
,,,,,,,,,
典型
例子
分发
支持 电流 vs.
门 至 cathode 阻抗
门 至 cathode 阻抗 (k
Ω
)
100 (%)
支持 电流
(
R
GK
=rk
Ω
)
支持 电流
(
R
GK
= 1k
Ω
)
门 触发 电流 vs.
门 电流 脉冲波 宽度
门 电流 脉冲波 宽度 (µs)
100 (%)
门 触发 电流
(
tw
)
门 触发 电流
(
直流
)
repetitive 顶峰 反转 电压 vs.
接合面 温度
接合面 温度 (°c)
转变-在 时间 vs. 门 电流
转变-在 时间 (µs)
门 电流 (毫安)
转变-止 时间 vs.
接合面 温度
转变-止 时间 (µs)
接合面 温度 (°c)
100 (%)
repetitive 顶峰 反转 电压 (t
j
= t°C
)
repetitive 顶峰 反转 电压 (t
j
= 25°C
)