二月.1999
mitsubishi 半导体
〈
THYRISTOR
〉
CR6PM
中等 电源 使用
insulated 类型, glass passivation 类型
10
0
5710
1
23 5710
2
23 5
23 5
710
3
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
7
5
3
2
10
–1
V
FGM
= 6v
V
GT
= 1v
I
GT
= 10ma
P
GM
= 5w
V
GD
= 0.2v I
FGM
= 2a
P
g(av)
= 0.5w
10
2
10
–2
10
0
10
1
7
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
7
5
3
2
10
–3
23 57 23
10
–2
57 2
10
–1
10
1
357 2357
16060–20–40 0 20 40 80 100120140
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
典型 例子
160
120
60
40
20
140
100
80
0
80
2467135
θ
360°
θ
= 30° 60° 120°90° 180°
resistive,
INDUCTIVE
负载
最大 平均 电源 消耗
(单独的-阶段 half 波)
平均 电源 消耗 (w)
平均 在-状态 电流 (一个)
门 触发 电压 vs.
接合面 温度
门 触发 电压
(
V
)
接合面 温度 (°c)
容许的 情况 温度 vs.
平均 在-状态 电流
(单独的-阶段 half 波)
情况 温度 (°c)
平均 在-状态 电流 (一个)
最大 瞬时 热的
阻抗 特性
(接合面 至 情况)
瞬时 热的 阻抗 (°c/w)
时间 (s)
门 电压 (v)
门 电流 (毫安)
门 触发 电流 vs.
接合面 温度
接合面 温度 (°c)
1.0
0.8
0.7
0.6
0.3
0.4
0.1
0
120–40
–20 20 80
0.2
0.5
0.9
06040 100
,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,
典型
例子
分发
16
12
6
4
2
14
10
8
0
160
4 8 12 142610
θ
= 30°
60°
120°
90°
180°
θ
360°
resistive,
INDUCTIVE
负载
门 特性
100 (%)
门 触发 电流 (t
j
= t°c)
门 触发 电流 (t
j
= 25°c)