二月.1999
mitsubishi 半导体
〈
THYRISTOR
〉
CR8PM
中等 电源 使用
insulated 类型, glass passivation 类型
2310
1
5710
2
23 5710
3
23 5710
4
160
0
80
100
120
140
40
60
20
# 2
# 1
T
j
= 125°c
典型
例子
I
GT
(25°c)
# 1 4.7ma
# 2 7.2ma
160
120
60
40
20
140
100
80
0
160–40
0 40 80 120140–20 20 60 100
典型 例子
32
24
12
8
4
28
20
16
0
160
4 8 12 142610
θ
= 30°
60° 120°
90°
180°
θ θ
360°
resistive 负载
160
120
60
40
20
140
100
80
0
160
4 8 12 142610
180°
θ θ
360°
60°
90°
120°
θ
= 30°
resistive 负载
最大 平均 电源 消耗
(单独的-阶段 全部 波)
平均 电源 消耗 (w)
平均 在-状态 电流 (一个)
最大 平均 电源 消耗
(rectangular 波)
平均 电源 消耗 (w)
平均 在-状态 电流 (一个)
容许的 情况 温度 vs.
平均 在-状态 电流
(rectangular 波)
情况 温度 (°c)
平均 在-状态 电流 (一个)
容许的 情况 温度 vs.
平均 在-状态 电流
(单独的-阶段 全部 波)
情况 温度 (°c)
平均 在-状态 电流 (一个)
breakover 电压 vs.
接合面 温度
接合面 温度 (°c)
100 (%)
breakover 电压
(
T
j
= t°c
)
breakover 电压
(
T
j
=25°C
)
breakover 电压 vs.
比率 的 上升 的 止-状态 电压
比率 的 上升 的 止-状态 电压 (v/µs)
100 (%)
breakover 电压
(
dv/dt = vv/µs
)
breakover 电压
(
dv/dt = 1v/µs
)
32
24
12
8
4
28
20
16
0
160
4 8 12 142610
θ
360°
resistive,
INDUCTIVE
负载
θ
= 30° 60°
120°
90° 180°
270°
直流
160
120
60
40
20
140
100
80
0
160
4 8 12 142610
θ
360°
resistive,
INDUCTIVE
负载
θ
= 30° 120°
180° 直流
270°60°
90°
: 点此下载
