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CS403
参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
电的 特性 :
谈及 至 这 测试 电路, -40¡c ² T
C
² 125¡c, -40 ² T
J
² 150¡c, 7v ² V
在
² 10v 除非 否则 指定
t
d
= c
d
x v
DTC
/i
ch
= c
延迟
x 2.10
5
(典型)
在哪里:
t
d
= 时间 延迟
C
d
= 值 的 外部 charging 电容 (看 测试 电路).
V
DTC
= 延迟 门槛 承担
I
ch
= 重置 延迟 电容 charging 电流.
输出 电压, v
输出
V
在
= 8.5v, i
输出
= 250ma
T
J
= 25¡c 4.95 5.00 5.05 V
100ma ² I
输出
² 750mA 4.85 5.00 5.15
运行 输入 电压 100 至 750ma -0.75 18.0 V
加载 规章制度 100ma ² I
输出
² 750ma, v
在
= 8.5v 30 100 mV
落后 电压 I
输出
= 750ma 1.4 1.8 V
安静的 电流 I
输出
= 0ma 3 4 毫安
I
输出
= 750ma 5 25 毫安
PSRR I
输出
-250ma f = 120hz 70 dB
C
输出
= 10µf, v
在
= 8.5v±v
pp
输出 短的 电路 电流 1 一个
重置 输出 电压 I
R
= 1.6ma 1.0 ² V
输出
² 4.75v 0.08 0.40 V
重置 输出 泄漏 电流 V
输出
在 规章制度 0 50 µA
延迟 时间 为 重置 输出 C
d
= 100nf 10 20 30 ms
重置 门槛: v
RTH
V
输出
增加 V
输出
-0.04 V
V
RTL
V
输出
减少 4.75 V
门槛 hysteresis 10 50 mV
延迟, v
DTC
承担 3.7 4.0 4.4 V
延迟, v
DTD
释放 3.1 3.5 3.9 V
延迟 hysteresis, v
DH
200 500 1000 mV
重置 延迟 电容 10 20 40 µA
charging 电流, i
CH
重置 延迟 电容 0.6 1.2 V
释放 电压, v
DIS
包装 含铅的 描述
包装 含铅的 # 含铅的 标识 函数
5 含铅的 至-220
1V
在
输入 电压.
2 cmos 兼容 输出 含铅的. 变得 低 whenever v
输出
falls 输出 的 规章制度.
3 地 地面 连接.
4 延迟 定时 电容 为 函数.
5V
输出
管制 输出 电压, 5v (典型值).
重置
RESETRESET
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