cs5171, cs5172, cs5173, cs5174
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这个 电路, 显示 在 图示 40, 需要 一个 最小
号码 的组件 和 准许 这 soft−start 电路系统 至
活动 任何 时间 这 ss 管脚 是 使用 至 重新开始 这 转换器.
图示 40. 软 开始
V
C
R1
C2
C1
D2
D1
V
CC
C3
V
在
SS
SS
电阻 r1 和 电容 c1 和 c2 表格 这
补偿网络. 在 转变 在, 这 电压 在 这 v
C
管脚
开始 至 来到 向上, charging 电容 c3 通过 肖特基
二极管 d2, 夹紧 这 电压 在 这 v
C
管脚 此类 那
切换 begins 当 v
C
reaches 这 v
C
门槛,
典型地1.05 v (谈及 至 graphs 为 detail 在 温度).
V
C
V
f(d2)
V
C3
因此, c3 slows 这 startup 的 这 电路 用 限制的
这 电压 在 这 v
C
管脚. 这 soft−start 时间 增加 和
这 大小 的 c3.
二极管 d1 discharges c3 当 ss 是 低. 如果 这 关闭
函数 是 不 使用 和 这个 部分, 这 cathode 的 d1 应当
是 连接 至 v
在
.
calculating 接合面 温度
至 确保 safe 运作 的 这 cs5171/2/3/4, 这
设计者 必须 计算 这 on−chip 电源 消耗 和
决定 它的 预期的 接合面 温度. 内部的
热的 保护 电路系统 将 转变 这 部分 止 once 这
接合面 温度 超过 180
°
C
±
30
°
. 不管怎样,
重复的 运作 在 此类 高 温度 将 确保 一个
减少 运行 生命.
计算 的 这 接合面 温度 是 一个 imprecise
但是 简单的 task. 第一, 这 电源 losses 必须 是 quantified.
那里 是 三 主要的 来源 的 电源 丧失 在 这 cs517x:
•
偏置 的 内部的 控制 电路系统, p
偏差
•
转变 驱动器, p
驱动器
•
转变 饱和, p
SAT
这 内部的 控制 电路系统, 包含 这 振荡器 和
直线的 调整器, 需要 一个 小 数量 的 电源 甚至
当 这 转变 是 转变 止. 这 规格 部分 的
这个 数据手册 reveals 那 这 典型 运行 电流, i
Q
,
预定的 至 这个 电路系统 是 5.5 毫安. 额外的 guidance 能 是
建立 在这 图表 的 运行 电流 vs. 温度. 这个
图表 显示 那 iq 是 strongly 依赖 在 输入 电压,
V
在
, 和 温度. 然后
P
偏差
V
在
I
Q
自从 这 onboard 转变 是 一个 npn 晶体管, 这 根基
驱动 电流 必须 是 factored 在 作 好. 这个 电流 是
描绘 从 这 v
在
管脚, 在 增加 至 这 控制 电路系统
电流. 这 根基 驱动 电流 是 列表 在 这 规格
作
I
CC
/
I
SW
, 或者 转变 跨导. 作 在之前, 这
设计者 将 find 额外的 guidance 在 这 graphs. 和
那 信息, 这 设计者 能 计算
P
驱动器
V
在
I
SW
I
CC
I
SW
D
在哪里:
I
SW
= 这 电流 通过 这 转变;
d = 这 职责 循环 或者 percentage 的 转变 on−time.
I
SW
和 d 是 依赖 在 这 类型 的 转换器. 在 一个
boost 转换器,
I
sw(avg)
I
加载
D
1
效率
D
V
输出
V
在
V
输出
在 一个 flyback 转换器,
I
sw(avg)
V
输出
I
加载
V
在
1
效率
D
V
输出
V
输出
N
S
N
P
V
在
这 转变 饱和 电压, v
(ce)sat
, 是 这 last 主要的
源 的 on−chip 电源 丧失. v
(ce)sat
是 这
collector−emitter 电压 的 这 内部的 npn 晶体管
当 它 是驱动 在 饱和 用 它的 根基 驱动 电流. 这
值 为 v
(ce)sat
能 是 得到 从 这 规格
或者 从 这 graphs, 作 “switch 饱和 电压.” 因此,
P
SAT
V
(ce)sat
I
SW
D
最终, 这 总的 on−chip 电源 losses 是
P
D
P
偏差
P
驱动器
P
SAT
电源 消耗 在 一个半导体 设备 结果 在 这
一代 的 热温 在 这 汇合处 在 这 表面 的 这 碎片.
这个 热温 是 transferred 至 这 表面 的 这 ic 包装, 但是
一个 热的 gradient exists 预定的 至 这 resistive properties 的 这
包装 塑造 复合. 这 巨大 的 这 热的
gradient 是 表示 在 manufacturers’ 数据 薄板 作
JA
,
或者 junction−to−ambient 热的 阻抗. 这 on−chip
接合面 温度 能 是 计算 如果
JA
, 这 空气
温度 near 这 表面 的 这 ic, 和 这 on−chip
电源 消耗 是 知道.
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