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资料编号:233715
 
资料名称:CSC2712
 
文件大小: 38.78K
   
说明
 
介绍:
SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
continental 设备 印度 限制
数据 薄板
页 2 的 3
比率
(在 t
一个
= 25°c 除非 否则 指定)
限制的 值
集电级-根基 电压 (打开 发射级) V
CBO
最大值 60 V
集电级-发射级 电压 (打开 根基) V
CEO
最大值 50 V
发射级-根基 电压 (打开 集电级) V
EBO
最大值 5 V
集电级 电流 (d.c.) I
C
最大值 150 毫安
根基 电流 I
B
最大值 30 毫安
总的 电源 消耗 在 t
amb
= 25°c P
tot
最大值 150 mW
接合面 温度 T
j
最大值 150 ° C
存储 温度 Tstg –50 至 +150 ° C
特性
(在 t
一个
= 25°c 除非 否则 指定)
集电级 截-止 电流
I
E
= 0; v
CB
= 60 v I
CBO
最大值 100 nA
发射级 截-止 电流
I
C
= 0; v
EB
= 5 v I
EBO
最大值 100 nA
饱和 电压
I
C
= 100 毫安; i
B
= 10 毫安 V
CEsat
最大值 250 mV
d.c. 电流 增益
I
C
= 2 毫安; v
CE
= 6 v h
FE
最小值 70
最大值 700
Y 最小值 120
最大值 240
gr(g) 最小值 200
最大值 400
bl(l) 最小值 350
最大值 700
转变 频率
I
C
CE
= 10 v f
T
最小值 80 MHz
噪音 图示 在 r
g
= 10 k
W
V
CE
= 6 v; i
C
= 0.1 毫安
f = 1 khz N
F
最大值 10 dB
CSC2712
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